Samsung Electronics メモリ
| 部品番号 | 価格 | ストック | メーカー | カテゴリ | Type | Main Category | Density - (bit) | Cell Type | Subcategory | Density in Bits - (bit) | Total Density | Organization | Architecture | Programmability | Number of Bits per Word - (bit) | Boot Block | Number of Internal Banks | Module Type | Number of Words per Bank | Number of Chip per Module | Data Rate Architecture | Timing Type | Minimum Operating Supply Voltage - (V) | Maximum Operating Frequency - (MHz) | Data Bus Width - (bit) | Chip Density - (bit) | Number of Ports | Maximum Clock Rate - (MHz) | Number of Words | Maximum Access Time - (ns) | Interface Type | Process Technology | Address Bus Width - (bit) | Chip Configuration | Chip Package Type | Maximum Operating Current - (mA) | Maximum Operating Supply Voltage - (V) | Supplier Temperature Grade | ECC Support | Number of Ranks | CAS Latency | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| M386A8K40BM1-CRC DRAM Module DDR4 SDRAM 64Gbyte 288RDIMM |
ストック
1
$656.10
ユニットあたり
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Samsung Electronics | メモリモジュール | DRAM Module | DDR4 SDRAM | 64Gbyte | 8Gx72 | 288RDIMM | 36 | 72 | 16G | 2400 | 4Gx4 | FBGA | Commercial | No | Quad | 15 | 288 | LRDIMM | DIMM | No | No | No | No | No | 4A994 | Yes | No | |||||||||||||||||||||||||
| K4B1G0846G-BCK0000 1GB G-DIE DDR3 SDRAM |
ストック
6
$2.333
ユニットあたり
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Samsung Electronics | DRAMチップ | Unknown | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4B1G0846I-BCK0000 DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78-Pin FBGA |
ストック
31
$1.447
ユニットあたり
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Samsung Electronics | DRAMチップ | 78 | FBGA | BGA | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M471B5673EH1-CH900 DDR3 SDRAM 204PIN UNBUFFERED SODIMM BASED ON 1GB E-DIE 64-BIT NON-ECC |
ストック
1
$40.80
ユニットあたり
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Samsung Electronics | メモリモジュール | Unknown | Unknown | Unknown | Unknown | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9F4G08U0A-PIB0000 512M X 8 BIT / 1G X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
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Samsung Electronics | フラッシュ | 3A991b.1.a. | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9F1G08U0E-SIB0000 FLASH MEMORY IC |
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Samsung Electronics | フラッシュ | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9K8G08U0D-SIB0000 SLC NAND Flash Serial 3.3V 8G-bit 1G x 8 25ns 48-Pin TSOP-I Tray |
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Samsung Electronics | フラッシュ | 3A991b.1.a. | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K6R4016V1D-UI10000
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
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Samsung Electronics | SRAMチップ | 3A991b.2.a. | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KLMCG8WEBC-B031001 MANAGED NAND FLASH MEMORY |
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Samsung Electronics | フラッシュ | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4S561632J-UI75T00 DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Tray |
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Samsung Electronics | DRAMチップ | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4X51323PK-8GD8000 512MB K-DIE MOBILE DDR SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAMチップ | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K6F1616U6C-FF55000 SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 1M x 16 55ns 48-Pin FBGA Tray |
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Samsung Electronics | SRAMチップ | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4S561632H-UC75000 DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II |
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Samsung Electronics | DRAMチップ | SDRAM | 256M | 268435456 | 16Mx16 | 16 | 4 | 4M | 16 | 133 | 5.4|6 | LVTTL | CMOS | 15 | Commercial | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M393B1K70CH0-CH905 DDR3 8GB 1333MHz 1.5V ECC DIMM |
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Samsung Electronics | メモリモジュール | 4A994a. | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T51163QJ-BCE6000 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA |
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Samsung Electronics | DRAMチップ | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4T1G164QF-BCE7000 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA |
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Samsung Electronics | DRAMチップ | DDR2 SDRAM | 1G | 1073741824 | 64Mx16 | 16 | 8 | 8M | 16 | 800 | 0.4 | SSTL_1.8 | 16 | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K6X4016T3F-UF70000 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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Samsung Electronics | SRAMチップ | 3A991b.2.a. | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M393A4K40BB1-CRC
DRAM Module DDR4 SDRAM 32Gbyte 288RDIMM
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Samsung Electronics | メモリモジュール | 288 | RDIMM | DIMM | No | No | No | No | No | 4A994a. | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M393A8K40B22-CWD6Q 288pin Registered DIMM based on 8Gb B-die |
ストック
8
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Samsung Electronics | メモリモジュール | 288 | RDIMM | DIMM | No | No | No | No | 4A994a. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9F1G08U0D-SIB0T00 FLASH MEMORY |
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Samsung Electronics | フラッシュ | 3A991b.1.a. | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K7R641882M-EC20000 2MX36 AND 4MX18 AND 8MX9 QDR II B2 SRAM |
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Samsung Electronics | SRAMチップ | 3A991b.2.a. | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4A4G165WD-BCPB 4Gb D-die DDR4 SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAMチップ | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9K8G08U0E-SCB0T00 Flash Memory IC |
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Samsung Electronics | フラッシュ | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4S561632N-LC60000 256MB N-DIE SDRAM |
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Samsung Electronics | DRAMチップ | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K9F4G08U0D-SCB0T00 4Gb D-die NAND Flash |
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Samsung Electronics | フラッシュ | 3A991b.1.a. | No |