オンセミコンダクターのSiC技術は次世代のエネルギーインフラシステム設計を可能にします
シリコンカーバイド (SiC) ベースのパワーステージを採用することは、電力損失の削減、電力密度の向上、冷却コストの削減に重要な役割を果たします。
脱炭素化の加速により、DC急速充電器（DCFC）、太陽光インバーター、バッテリーエネルギー貯蔵システム（BESS）などのエネルギーインフラシステムの設置への需要のシフトが進んでいます。インフラストラクチャ クラスの信頼性を念頭に置いて構築された非常に堅牢なSiCパワー デバイスを選択することは、最善の、長持ちする、堅牢なエネルギー インフラストラクチャ システムを設計する上で重要な要素です。
場所/日付:
日付: 2022年5月18日火曜日
時間: 午前10:00 CET | 午前10:30 PST
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