STマイクロエレクトロニクスSiCパワー: シリコンカーバイドMOSFETおよび整流器

日付: 2020年6月30日

時間: 10:00 - 11:00 AM中央ヨーロッパ夏時間

STMicroelectronicsの最新のシリコンカーバイド技術 (SiC) に関するイノベーションに関するウェビナーにご参加ください。

今すぐ登録して、整流器、MOSFET、モジュールなどの最新製品の詳細、パッケージング技術、ロードマップ、アプリケーションのケーススタディ、現在の市場の競合分析を入手してください。

このウェビナーで学ぶ内容:

     • シリコンカーバイド技術の概要
     • SiC MOSFETとSiCダイオード:製品、機能、短期ロードマップ
     • 推進
     • SiC製造および生産能力計画
     • アプリケーションケーススタディ
     • WBGとGaNのプレビュー

講演者 - Salvatore La Mantia、STMicorelectronicsマーケティング マネージャー

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