CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET과 .XT 상호 연결 기술 데이터시트

12 10 2020

Infineon의 새로운 CoolSiC™ MOSFET는 스위칭 손실이 매우 적고, 단락 강도 시간이 단 3µs이며, .XT 상호 연결 기술로 동급 최고의 열성능을 자랑합니다.

특징, 장점, 가능한 용도, 상세한 제품 사양을 포함해 Infineon의 새로운 IMBG120R030M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET에 대해 자세히 알아보십시오.

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