采用 .XT 互联技术的 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET 数据表

2020年10月12日

Infineon 全新 CoolSiC™ MOSFET 具有极低的开关损耗、仅 3 µs 的短路耐受时间，并采用 .XT 互联技术，可实现提供一流的热性能。

了解有关 Infineon 新品 IMBG120R030M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET 的所有信息，包括功能、优势、潜在应用和详细的产品规格。

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