英飞凌的 CoolMOS™P7 MOSFET 针对当今苛刻的应用进行了优化，在效率和热性能方面提供了新的基准，同时也为英飞凌的反激拓扑提供了解决方案。
最新的 800 V CoolMOS™P7 系列为 800 V 超级结技术设置了新的基准，拥有一流的性能和最先进的技术，简单易用，这是英飞凌超过 18 年的开创性超级结技术创新取得的成果。
为满足现在尤其是未来反激式拓扑结构的发展趋势而开发的新 700V CoolMOS P7™系列，与当前使用的其他超级结技术相比，提升了基本性能，满足了低功耗 SMPS 市场，如手机充电器或笔记本适配器。
700 V CoolMOS™ P7 系列
800 V CoolMOS™ P7 系列
主要特性 800 V
- • 一流的 FOM RDS(on) * Eoss；降低了 Qg, Ciss和 Coss
- •一流的 280 mΩ DPAK RDS(on)
- • 一流的 3V V(GS)th和最小的 VGS(th)变动（±0.5 V）
- • 最高 2 级的集成齐纳二极管 ESD 保护 (HBM)
- • 一流的质量和可靠性
- • 充分优化的产品组合
主要特性 700 V
- •非常低的 FOM RDS(on) x Eoss；更低的 Qg、Eon和Eoff
- • 高性能技术
- •低开关损耗 (EOSS)
- • 高效率
- • 出色的热性能
- • 可以高速切换
- • 集成保护齐纳二极管
- •经优化的 3V VGS(th)，容差很小（± 0.5 V）
- • 精细分级的产品组合
潜在应用
- • 适配器
- • 发光二极管
- • 音频
- • 工业 SMPS
- • AUX 电源
- • 充电器
- • 电视
- • 照明
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