本页内容介绍硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 技术在电源设计中的优势。讨论了硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 技术之间的主要区别，以及 Infineon’s CoolGaN™ HEMTS 的特性和优势。
电源半导体历来以硅基底为基础，然而，虽然硅是一种优秀的通用半导体，但在高压方面，它具有明显的局限性。随着对更多功率的需求持续不减，整个行业正在逐渐远离硅，转而采用具有更适合电源的特性的半导体材料。这些材料被归类为宽带隙，这是指它们在结晶水平上与硅等材料存在物理上的不同。这些差异转化为几个重要特征，其中之一是它们能够在更高的开关频率下工作，同时将损耗保持在非常低的可管理水平。
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