当暴露在有电荷的环境中时，电气拭除式可编程只读存储器（即 EEPROM）会被擦除。 但是，即使关闭设备电源，数据也会保留下来。 EEPROM 与闪存的不同之处在于，使用 EEPROM 时，数据在写入或擦除时是按照每次一个字节进行，所以处理速度很慢。 而使用闪存时，整个数据块可同时写入和擦除，从而加快处理速度。
可使用特殊的编程信号在电路内部完成 EEPROM 的编程或擦除。 EEPROM 的优势包括：允许多字节页面操作，引线数量少，紧凑小巧，低工作电压和低功耗。 其使用寿命已从可重新编程几次显著延长至当前最多可在现代 EEPROM 中执行百万次写入操作。 为了节省板空间，串行 EEPROM 可集成至逻辑设备中，这样便可安装在板上，从而提高可靠性，同时节省空间和总体系统成本。
然而，这些设备并非不会面临挑战。 电子系统不会越来越大，而是会继续集成在越来越小的板上。 EEPROM 所需的编程和支持电路增加了总体系统成本，但由于板设备数量减少，所以总功耗降低并且可靠性提高。 另外，由于工艺技术的进步，需要耗时的重新设计的 EEPROM 会逐渐被淘汰。
有两种主要类别的 EEPROM：串行和并行。
串行 EEPROM 通过串行接口进行通信，在操作码、地址和数据阶段工作。 这三个接口使用一至四个控制信号进行工作，所以 EEPROM 需要多达 8 引脚的封装。 这些 EEPROM 支持多个读/写操作，以及编程、扇区擦除和芯片擦除命令。
一个例子是 Atmel AT24C32E-SSHM-B 串行 EEPROM，这是一种符合 I2C 的表面贴装设备，具有 1.7 V 至 3.6 V 的低工作电压、100 kHz 的标准模式、400 kHz 的快速模式（也是 1.7 V 至 3.6 V）以及 1 MHz 的增强型快速模式 (FM+)（2.5 V 至 3.6 V）。它还具有用于噪声抑制的施密特触发器筛选输入、双向数据传输协议、用于全阵列硬件数据保护的写保护个人识别码，以及超低有功电流（最大 1 mA）和备用电流（最大 0.8 μA）。 它的可靠性高，可承受 1,000,000 个写入周期，并且数据可保留 100 年。 其应用包括许多需要低功率和低电压工作的工业应用和商业应用。
图 1：Atmel AT24C32E-SSHM-B 串行 EEPROM 结构图。 （来源：Atmel）
另一个串行 EEPROM 的例子是 Microchip 24LC04BT-I/SN16KVAO EEPROM，工作电压为 1.7 V 或 2.5 V。该设备采用低功率 CMOS 技术，其读取电流为 1 mA（典型值），备用电流为 1 μA（典型值）。 它还带有用于噪声抑制的施密特触发器输入，以及输出斜率控制以消除接地反弹，并具有 100 kHz 和 400 kHz 的时钟兼容性。 设备的 ESD 保护大于 4,000 V。它可承受超过 100 万次擦除/写入周期，并且数据可保留 200 年以上。 其应用包括工业和汽车应用。
相比之下，并行 EEPROM 是通过并行接口进行通信的非易失性存储器，拥有一个 8 位数据总线和地址总线，其范围足以涵盖整个存储器。 大多数并行 EEPROM 都带有芯片选择和写保护引线。 微控制器可能包含集成的并行 EEPROM。 虽然它们的速度比串行 EEPROM 更快，但由于引线数量较多（28 或更多引线），所以尺寸较大，这通常意味着，随着最终产品日益朝着小型化尺寸发展，它们的使用频率会越来越低。
一个例子是 e2v 的 5962-8751408XA 并行 64 K 位 8K x 8 5 V 28 引脚 EEPROM，其电源工作电压为 5 V（典型值），工作电流为 80 mA。 它可将数据保留 10 年，采用通孔安装和 28 引脚结构。