En cas d'exposition à une charge électrique, une mémoire EEPROM (mémoire programmable en lecture uniquement et électriquement effaçable) peut être effacée. Toutefois, elle conserve les données même lorsque l'alimentation de l'appareil est coupée. Une mémoire EEPROM diffère d'une mémoire flash, car les données contenues dans la première sont soit écrites, soit effacées octet par octet. Le processus est donc lent. Dans le cas d'une mémoire flash, des blocs entiers de données sont écrits et effacés simultanément, ce qui accélère le processus.
Il est possible de réaliser la programmation ou l'effacement des mémoires EEPROM à l'aide de signaux de programmation spéciaux. Les mémoires EEPROM ont pour notamment pour avantages de permettre les opérations de page multibits, les décomptes de broches faibles, des emballages de petite taille, un fonctionnement à basse tension et une consommation électrique faible. La durée de vie des mémoires EEPROM modernes n'a plus rien à voir avec les anciennes générations. Elle a été augmentée de manière significative : il est désormais possible de les reprogrammer un million de fois à l'aide d'opérations d'écriture. Pour gagner de la place sur les cartes, il est possible d'intégrer des mémoires EEPROM série dans des appareils logiques, de sorte qu'elles peuvent se trouver sur une carte. Cela permet d'associer fiabilité élevée, gain de place et économies sur le coût total du système.
Toutefois, les appareils représentent des défis. La taille des systèmes électroniques n'augmente pas ; les cartes sont de plus en plus petites. La programmation et le circuit de support nécessaires aux mémoires EEPROM créent une dépense supplémentaire : moins il y a de cartes, plus la consommation électrique totale diminue et plus la fiabilité augmente. Les mémoires EEPROM peuvent également devenir obsolètes, ce qui nécessite de nouvelles conceptions, qui prennent du temps, en raison des avancées des technologies des processus.
Il existe deux catégories principales de mémoires EEPROM : série et parallèle.
Les mémoires EEPROM série communiquent par l'intermédiaire d'une interface série et fonctionnent par phases de code d'opération, d'adresse et de données. Ces trois interfaces ont besoin d'un à quatre signaux de contrôle pour fonctionner. Par conséquent, une mémoire EEPROM nécessite un paquet à 8 broches. Ces mémoires EEPROM prennent en charge plusieurs opérations en lecture et en écriture, ainsi que des commandes de programmes, d'effacement de secteurs et de puces.
La mémoire EEPROM série AT24C32E-SSHM-B d'Atmel est un exemple d'appareil compatible I2C monté en surface qui fonctionne en basse tension : de 1,7 V à 3,6 V avec mode standard à 100 kHz ou mode rapide à 400 kHz et de 2,5 V à 3.6 V en mode rapide Plus à 1 MHz (FM+). Elle dispose également d'entrées filtrées par déclencheur Schmitt permettant de supprimer les interférences, du protocole de transfert bidirectionnel des données, d'une broche de protection en écriture pour une protection totale des données des matrices matérielles, ainsi que du courant actif extrêmement faible (1 mA maximum) et du courant standard (0,8 μA maximum). Elle est hautement fiable, peut supporter 1 000 000 de cycles d'écriture et est capable de conserver des données pendant 100 ans. Elles sont dédiées à de nombreuses applications industrielles et commerciales, pour lesquelles un fonctionnement à faible puissance et basse tension est nécessaire.
Figure 1 : schéma de la mémoire EEPROM série AT24C32E-SSHM-B d'Atmel. (Source : Atmel)
Autre exemple de mémoire EEPROM série, le modèle Microchip 24LC04BT-I/SN16KVAO fonctionne à 1,7 V ou 2,5 V. Basée sur une technologie CMOS à basse consommation, elle se caractérise par un courant de 1 mA (typique) de courant en lecture et de 1 μA (typique) de courant en mode veille. Elle dispose également d'entrées à déclencheur Schmitt pour la suppression des interférences, ainsi qu'un contrôle de la pente de sortie pour éliminer le rebond de masse et une compatibilité à 100 kHz et à 400 kHz. La protection ESD du périphérique est supérieure à 4 000 V. Elle permet plus de 1 million de cycles d'effacement/écriture et une conservation des données sur plus de 200 ans. Les applications possibles concernent l'industrie et l'automobile.
En comparaison, les mémoires EEPROM parallèles sont des mémoires non volatiles qui communiquent grâce à une interface parallèle et qui disposent d'un bus de données 8 bits et d'un bus d'adresses suffisamment large pour couvrir totalement la mémoire. La plupart des mémoires EEPROM parallèles sont équipées de broches de sélection de puce et de protection de l'écriture. Certains microcontrôleurs intègrent des mémoires EEPROM parallèles. Si elles sont plus rapides que les mémoires EEPROM série, elles sont également plus grandes, car leur décompte de broche peut dépasser 28 broches, souvent moins souvent utilisées dans la mesure où les produits finaux se réduisent à des facteurs de forme plus petits.
Par exemple, la mémoire EEPROM parallèle de 64 Ko 5962-8751408XA 8K x 8 5 V à 28 broches d'e2v, présente une tension classique d'alimentation de fonctionnement de 5 V et un courant de fonctionnement de 80 mA. Elle se caractérise par une conservation des données de 10 ans, un montage par perçage et un décompte de broches de 28 broches.