FR et micro-onde
Les dispositifs à FR et micro-ondes englobent le vaste champ des communications sans fil. Tout composant capable d'opérer à des fréquences radio/micro-onde, même s'il ne transmet ni ne reçoit concrètement des données, est également considéré comme un dispositif à FR/micro-onde.
Une grande catégorie de dispositifs à FR et micro-onde est celle qui regroupe les BJT et les MOSFET. Il s'agit de transistors spécialisés pour une transmission efficace de la puissance à des fréquences radio. Un MOSFET/BJT FR constitue la dernière étape de l'émetteur avant l'antenne. Ces transistors sont souvent fabriqués à partir de processus de semiconducteurs plus avancés que le silicone afin d'obtenir de meilleures performances.
Beaucoup d'autres dispositifs à FR très importants sont utilisés comme composants de systèmes à FR plus larges. Les atténuateurs réduisent la puissance d'entrée d'une valeur spécifique. Les mélangeurs assurent la multiplication des signaux d'entrée de bande de base et de vecteurs. Les amplificateurs à FR dopent la puissance pour une plage de fréquences à bande étroite. Les diodes FR peuvent être utilisées pour la détection d'enveloppes ou peuvent fonctionner comme mélangeurs de basse qualité.
Les pièces qui mettent en œuvre des systèmes utilisant les protocoles 802.11, Bluetooth, GPS ou d'autres protocoles sans fil sont également considérés comme faisant partie de la catégorie des dispositifs à FR et micro-onde. Ces dispositifs complexes intègrent le système frontal FR, le traitement/filtrage de la bande de base et l'infrastructure numérique nécessaires pour une mise en œuvre complète des systèmes. Par exemple, une pièce 802.11 LAN sans fil inclut plusieurs dizaines de composants FR de base, parmi lesquels des mélangeurs, des syntoniseurs et des transistors amplificateurs.
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