现代电子设备对其组件的要求比以往任何时候都高。对更小封装尺寸和更高功率输出水平的渴望，使得选择 MOSFET 的过程变得越来越困难。Infineon 的 SS08 MOSFET 旨在满足现在和未来严格的产品设计师的需求。
在 48V 系统中，所需的 MOSFET 通常在 80V-100V 范围内。选择 MOSFET 时，选择电流额定值高于预期应用电压峰值的 MOSFET 非常重要。然而，制造商采用不同的方法来实现这些电流额定值。有时，制造商会根据理想散热器条件下的最高电流容量对 MOSFET 进行评级，这可能会留下非常小的性能安全裕量。
其他需要考虑的还有器件封装的限制。一个因素是器件互连的载流能力。另一个是硅封装晶体管中环氧树脂模塑料的热阻。在为您的应用选择 MOSFET 时，务必要考虑这些因素，以衡量它作为大型系统的一部分运行时情况。
随着当今电子器件尺寸不断缩小，所含 MOSFET 的尺寸也随之缩小。为了保持性能，最近对设计进行了更改。新型“无引线”封装采用铜夹焊接技术，而旧式“引线”封装依赖于粘合漆包线。在这种革命性的新设计中，一个铜桥连接到芯片的顶部，取代了多根铜线。例如，与类似尺寸的引线封装相比，Infineon 的 SS08 封装中包含的铜夹具有更高的载流和散热能力。
最近，电迁移效应也越来越受到关注。简而言之，当运动电子的动量转移到附近的原子时，就会出现这种情况。这可能会导致 MOSFET 封装的焊接中出现不良接合点和空隙，降低散热能力，并导致可靠性问题。Infineon 的新型熔融引线 SS08 封装与市场上的其他选择相比，焊接面积大幅增加，从而提高性能和可靠性。
在开发高性能、可靠的系统时，选择合适的 MOSFET 是一个关键的考虑因素。凭借近期的创新开发成果和对 MOSFET 电流承载能力的精确评级，Infineon 是您关键的开发合作伙伴。