ISSIの最新高速非同期SRAM

ISSI のECC付き高速8 Mb非同期CMOSスタティックRAMは、さまざまな低消費電力デバイスに最適です。

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IS61WV51216EDBLL-10BLI

Integrated Silicon Solution Inc SRAMチップ ビュー

ISSI IS61WV51216EDBLL は、ECCを備えた高速8 Mb非同期CMOSスタティックRAMであり、さまざまな低消費電力デバイスに最適です。これは512 Kワードx 16ビットで構成され、ISSIの高性能、低電力CMOSプロセスを使用して製造されています。このソリューションは、8、10、または20 nsの高速アクセス時間を提供し、全体的な設計では、ノイズ耐性を高めるために複数のセンター電源ピンとグランドピンが提供されます。完全に静的なので、クロックやリフレッシュは必要ありません。 


チップ イネーブル (CE) および出力イネーブル (OE) 入力により、メモリの拡張が簡単になります。アクティブ書き込み有効化は、メモリの書き込みと読み取りの両方を制御します。データ バイトにより、上位バイトと下位バイトへのアクセスが可能になります。CEが選択解除されると、デバイスはさらに低電力のスタンバイ モードになり、アプリケーションの寿命が長くなります。IS61WV51216EDBLLは、幅広い用途に対応する耐久性と高性能を備えたメモリ ソリューションです。産業および自動車アプリケーション向けに温度定格が設定された48ボールminiBGAおよびTSOPパッケージで提供され、 ISSI による長期サポートを受けています。 

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