無線通信の傾向が高まっていることを考えると、RF信号が劣化することなく明瞭に宛先に到達することが重要です。この記事では、今日の強力なシステムで使用するためのAnalog Devicesの最新のRFアンプについて説明します。
Analog Devicesのパワー アンプは、キロヘルツから95GHzまでのGaNおよびGaAs半導体技術に基づいており、ベアダイと表面実装コンポーネント ソリューションの両方をサポートしています。高出力電力で優れた直線性を実現するように設計されており、さまざまな有線および無線アプリケーションで高温でも優れた放熱性と高い信頼性を維持します。多くのパワーアンプは、単一のICで計測機器や軍事用途をサポートする数十年にわたる帯域幅をカバーします。電気通信リンクと衛星通信リンクの両方をサポートするナローバンド製品も多数あります。
広帯域分散アンプおよびドライバアンプ
GaAs MMICベースの広帯域分散アンプは、さまざまな超広帯域幅でDC ～ 65GHzの周波数範囲をカバーし、電子戦、レーダー、電子対抗手段、光学アプリケーション、計測機器などのアプリケーションのニーズを満たします。多様な設計要件を満たすために、一部のLNAでは、動作に信号ドレイン電圧のみを必要とする内部自己バイアスも提供されます。ドライバ アンプは、400 MHz (IF) からRFマイクロ波およびWバンド (86 GHz) までの周波数範囲をカバーする、幅広い中電力の汎用構成で利用できます。これらのドライバ アンプには、さまざまな周波数、帯域幅、ゲイン レベルをカバーしながら、15 dBmから約1ワットまでの出力電力が含まれています。
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RFアンプバイアスコントローラ
RFアンプ バイアス コントローラは、調整されたドレイン電圧を生成し、外部アンプのゲート電圧をアクティブに調整して、一定のバイアス電流を実現します。これらは、指定されたドレイン電圧 (VDRAIN) でクラスAモードで動作するエンハンスメント型およびデプレッション型のアンプへのバイアスに使用できます。これらのデバイスは、過剰供給、温度、プロセスの変動に対して優れたバイアス安定性を実現し、このような変動によるRFパフォーマンスの低下を防ぐために必要なキャリブレーション手順を排除します。
低ノイズアンプ
低ノイズ アンプは、DC (IF) からRFマイクロ波およびWバンド (95GHz) までの周波数範囲をカバーします。これらのMMICベースの設計は、0.7 dBという低いノイズ指数でさまざまなゲインと帯域幅をカバーします。業界で最も低いノイズと最高の直線性を提供します。多くの設計では自己バイアス トポロジが提供され、内部で50オームにマッチングされます。これらのアンプは、通信、計測、軍事/航空宇宙などの幅広い用途で使用されています。すべてのアナログ・デバイセズの低ノイズ・アンプは、周波数、温度、電源電圧にわたって完全に仕様規定されています。
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低位相雑音アンプ
低位相ノイズ アンプは、高い信号整合性を必要とする多くのアプリケーションにとって重要です。これは、発振器の改良に伴い低位相ノイズ アンプがますます重要になる計測、防衛、通信アプリケーションに特に当てはまります。位相ノイズは、搬送波に近いノイズとして説明され、クロック信号のジッタとして現れることがよくあります。Analog Devicesは、LOネットワーク、受信機、送信機のさまざまな要件を満たす低位相ノイズ アンプの幅広いポートフォリオを提供しています。
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フェーズドアレイRFフロントエンドIC (LNA、PA、スイッチ)
統合フロントエンドICはフェーズド アレイ アンテナで利用され、より簡単に導入できるよりコンパクトなソリューションを提供します。フロントエンドICは、アナログ ビームフォーミング アンテナ用のAnalog DevicesビームフォーミングIC (ADAR1000など) またはデジタル ビームフォーミング アンテナ用のトランシーバー/データ コンバーター製品と組み合わせることができます。これらのフロントエンドICには、レーダー アプリケーション用のアンテナ要素と結合するパワー アンプ (PA)、低ノイズ アンプ (LNA)、および送信/受信スイッチ (SW) が統合されています。
これらの製品はコンパクトでシンプルであるため、従来の標準的な単機能製品では非常に困難だったフラット パネル アレイ技術が可能になります。これらの製品には、PA/LNA/SWだけでなく、これらの部品を利用するために必要なすべてのパッシブ回路が含まれています。これらの製品の一部は、データリンクやパルス レーダー アプリケーションなどのCWアプリケーションで使用される場合があります。
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