このホワイト ペーパーを読んで、従来のシリコンMOSFETやIGBTと比較して顕著な利点を提供するON Semiconductorのシリコン カーバイドMOSFETの利点について学んでください。
高電圧スイッチング電源アプリケーションの場合、シリコンカーバイド (SiC) MOSFETは、従来のシリコンMOSFETやIGBTに比べて顕著な利点をもたらします。1,000 Vを超える高電圧電源レールを数百kHzでスイッチングすることは簡単ではなく、最高のスーパージャンクション シリコンMOSFETでもその能力を超えています。IGBTは一般的に使用されていますが、「テーリング電流」とターンオフの遅さのため、低い動作周波数に制限されます。
その結果、シリコンMOSFETは低電圧、高周波数動作に適しており、IGBTは高電圧、高電流、低周波数のアプリケーションに適しています。SiC MOSFETは、高電圧、高周波、スイッチング性能の利点の最適な組み合わせを提供します。これらは、IGBTと同じ高電圧を、はるかに低い電圧のシリコンMOSFETのスイッチング周波数以上でスイッチングできる電圧制御の電界効果デバイスです。
このホワイト ペーパーを読んで、従来のシリコンMOSFETやIGBTに比べて顕著な利点を提供する ON Semiconductorの シリコン カーバイドMOSFETの利点について学んでください。
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