革新的なソースダウン パッケージは、内部のシリコン ダイを反転し、ソースをサーマル パッドに接続できるようにします。これにより、より大きなシリコン ダイの使用が可能になり、RDS(on) が低減し、優れた熱性能が提供されるため、今日のドレインダウン業界標準に比べて大きな利点が得られます。
インフィニオンの ソースダウン パッケージは、高電力密度と最適化されたシステム レベルの効率に対する顧客の要件をサポートします。さらに、新しいレイアウト オプションにより、PCB設計者はシステム レベルで熱性能と電気性能を向上させる柔軟性が向上します。この製品ファミリは現在25Vおよび40Vオプションで提供されており、追加の電圧についても現在開発中です。
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主な特徴
- • Rの大幅な削減DS(オン) – 最大25パーセント
- • Rの優れた熱性能thJC
- • 最適化されたレイアウトの可能性
- • 標準およびセンターゲートのフットプリント
主なメリット
- • 高電流能力
- • PCB領域のより効率的な利用
- • 最高の電力密度とパフォーマンス
- • センターゲートによるMOSFET並列化に最適化されたフットプリント
一般的なアプリケーション
- • ドライブ
- • SMPS
- • サーバ
- • 通信
- • OR結合
- • バッテリー管理 / バッテリー保護
- • 電動工具
- • 充電器
関連製品
| オプン | 製品説明 | 部品クラス | 静電気敏感性 | RoHS準拠 | 鉛フリー |
| 型番 | 40Vオプティモス™ ソースダウンPQFN 3.3x3.3標準ゲートのMOSFET | 低電圧MOSFET | T | はい | はい |
| 言語 | 40Vオプティモス™ ソースダウンPQFN 3.3x3.3センターゲートのMOSFET | 低電圧MOSFET | T | はい | はい |
| ＩＱＥ００６ＮＥ２ＬＭ５ＡＴＭＡ１ | 25Vオプティモス™ ソースダウンPQFN 3.3x3.3標準ゲートのMOSFET | 低電圧MOSFET | T | はい | はい |
| 言語 | 25Vオプティモス™ ソースダウンPQFN 3.3x3.3センターゲートのMOSFET | 低電圧MOSFET | T | はい | はい |
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