デバイスが小型化するにつれて、電源もそれに追随する必要があります。したがって、今日の設計者には、体積あたりの電力 (W/mm3) を最大化するという1つの最優先目標があります。これを実現する1つの方法は、より高性能な電源スイッチを使用することです。これらの新しいパワースイッチには、次世代の高速シリコンベースのMOSFETのほか、窒化ガリウム (GaN) やシリコンカーバイド (SiC) 基板などの新しいテクノロジーも含まれています。

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デバイスが小型化するにつれて、電源もそれに追随する必要があります。したがって、今日の設計者には、体積あたりの電力 (W/mm3) を最大化するという1つの最優先目標があります。これを実現する1つの方法は、より高性能な電源スイッチを使用することです。これらの新しいパワースイッチには、次世代の高速シリコンベースのMOSFETのほか、窒化ガリウム (GaN) やシリコンカーバイド (SiC) 基板などの新しいテクノロジーも含まれています。
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