シリコンカーバイド技術で未来を活性化

将来の産業用および自動車用電源設計に必要な柔軟性を提供するシリコンカーバイド技術に焦点を当てたこの1日セミナーにぜひご参加ください。コストが削減され、設計がより小型化、効率化されます。

SiCトランジスタは採用され、さまざまなアプリケーションにスムーズに浸透しています。現在でも、市場は力率補正 (PFC) や太陽光発電 (PV) アプリケーションで使用されるダイオードによって牽引されています。しかし、今後5年間でSiCデバイス市場の主な牽引役はトランジスタになると予想されます。

議題：

9:00 – 9:10紹介
9:15 – 10:15マイクロチップ
10:20 – 11:20オンセミ
11:25 – 12:25インフィニオン
12:30 – 1:30ランチ＆ランチショーケース
1:30 – 2:30ウルフスピード

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Infineon のこのトレーニングを視聴して、シリコンカーバイドとGaNのワイドバンドギャップ技術と、従来のシリコンソリューションに対するそれらの利点について学び、さまざまなトポロジに最適なワイドバンドギャップ技術を選択する方法を学習します。

シリコンカーバイドは、高電圧アプリケーションだけでなく、高電力および高周波アプリケーションにも最適です。シリコンカーバイド ソリューションの利点としては、スイッチング損失が低いため、より小型で軽量、低コストのコンポーネントを使用できることが挙げられます。Microchip のこのプレゼンテーションを見て、ディスクリートおよび電力管理用のシリコンカーバイドのワイドバンドギャップ技術と、標準シリコンソリューションに対するその利点について学んでください。