Everspin 的 Toggle MRAM 系列配置为符合行业标准 SRAM，并在符合 RoHS 标准的 TSOP 和 BGA 封装中包括从 1Mb 到 16Mb 不等的密度。 串联 Toggle MRAM 具有与闪速存储器和电气拭除式可编程只读存储器相同的 SPI 接口，但具有快速的 40 MHz 时钟速度，并且没有写入延迟。
产品亮点
Toggle MRAM 并行接口
并行接口 MRAM 具有快速的、非易失性 SRAM 读写周期。 16 位 I/O MRAM 系列包括从 1Mb 到 16Mb 的密度。 8 位 I/O MRAM 系列包括从 256Kb 到 16Mb 的密度。 Everspin 非易失性 RAM 提供无限的读写持续时间。 所有产品都封装在符合 RoHS 标准的 TSOP 和 BGA 封装中。
Toggle MRAM 串联 SPI 接口
串联 MRAM 以快速的 40 MHz 时钟速度运行且没有写入延迟。 与传统的电气拭除式可编程只读存储器技术不同，MRAM 具有无限的持续时间。 在符合 RoHS 标准的 8 引脚 DFN 封装中提供从 256Kb 到 4Mb 不等的密度。
转矩 DDR3 MRAM
ST-MRAM 是性能优化的存储级存储器 (SCM)，通过提供非易失性、高耐力和超低延迟来使当今常规存储器的功能能够满足未来的存储系统需求。 64Mb 设备是 Everspin ST-MRAM 路线图中计划扩展到千兆密度存储器并具有更快速度的首款产品。 精选客户目前正在评估 Everspin 的 EMD3D064M 64Mb DDR3 ST-MRAM 的样品。