エバースピン・テクノロジーズについて

EverspinのToggle MRAMファミリは、業界標準のSRAMと互換性を持つように構成されており、RoHS準拠のTSOPおよびBGAパッケージで1Mbから16Mbまでの密度を備えています。シリアル トグルMRAMは、フラッシュやEEPROMと同じSPIインターフェイスを備えていますが、クロック速度が40 MHzと高速で、書き込み遅延がありません。

MRAMパラレルインターフェースの切り替え

パラレル インターフェイスMRAMは、高速で不揮発性のSRAM読み取りおよび書き込みサイクル時間を備えています。16ビットI/O 磁気共鳴画像 このファミリには1Mbから16Mbまでの密度が含まれます。8ビットI/O MRAMファミリには、256Kbから16Mbまでの密度が含まれます。Everspinの不揮発性RAMは、無限の読み取りおよび書き込み耐久性を提供します。すべての製品は、RoHS準拠のTSOPおよびBGAパッケージでパッケージ化されています。

MRAMシリアルSPIインターフェースの切り替え

シリアルMRAMは40 MHzの高速クロック速度で動作し、書き込み遅延はありません。従来の EEPROM テクノロジーのおかげで、MRAMは無限の耐久性を備えています。256Kbから4Mbまでの密度が、RoHS準拠の8ピンDFNパッケージで提供されます。

スピントルクDDR3 MRAM

ST-MRAM は、不揮発性、高耐久性、超低レイテンシを実現することで、今日の従来型メモリの役割と将来のストレージ システムの要求を橋渡しする、パフォーマンスが最適化されたストレージ クラス メモリ (SCM) です。64Mbデバイスは、より高速なギガビット密度メモリに拡張することが計画されているEverspinのST-MRAMロードマップの最初の製品です。現在、一部の顧客がEverspinのEMD3D064M 64Mb DDR3 ST-MRAMのサンプルを評価しています。

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