La famille de mémoire Toggle MRAM d'Everspin est conçue pour être compatible avec la mémoire SRAM standard. Elle propose des densités de 1 à 16 Mb dans des paquets TSOP et BGA conformes à la directive RoHS. Les mémoires MRAM Toggle série ont la même interface SPI que les mémoires Flash et EEPROM, mais elles se démarquent par une cadence d'horloge de 40 MHz et aucun retard d'écriture.
Interface parallèle de la mémoire Toggle MRAM
Les MRAM à interface parallèle affichent des cycles rapides de lecture de d'écriture dans les mémoires SRAM non volatiles. La famille de MRAM à E/S 16 bits propose des densités comprises entre 1 et 16 Mb. La famille de MRAM à E/S 8 bits propose des densités comprises entre 256 Kb et 16 Mb. Les RAM non volatiles d'Everspin offrent une durée de lecture et d'écriture infinie. Tous les produits sont livrés dans des paquets TSOP ou BGA conformes à la directive RoHS.
Mémoire Toggle MRAM à interface SPI série
Les MRAM série affichent une cadence d'horloge rapide de 40 MHz et n'ont aucun retard d'écriture. Contrairement aux technologies EEPROM traditionnelles, la MRAM présente une endurance infinie. Les densités disponibles varient entre 256 Kb et 4 Mb dans un paquet DFN à 8 broches, conforme à la directive RoHS.
Mémoire Spin-Torque MRAM DDR3
La ST-MRAM est une mémoire SCM (Storage Class Memory) aux performances optimisées, qui jette un pont entre la mémoire conventionnelle actuelle et les exigences des systèmes de stockage de demain, avec une non-volatilité, une grande endurance et une latence ultrafaible. Le 64 Mb est le premier produit de la feuille de route ST-MRAM d'Everspin, qui devrait évoluer vers des densités de mémoire de l'ordre du gigabit avec des débits plus rapides. Certains clients envisagent actuellement des modules ST-MRAM DDR3 64 Mb EMD3D064M d'Everspin.