LTC7890/LTC7891 通过高达 100 V 的输入电压驱动所有 N 通道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级。LTC7890 解决了许多使用 GaN FET 时通常会面临的挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 解决方案相比，LTC7890 简化了应用设计，无需保护二极管和其他附加外部组件。
内部智能自举开关可防止 BOOSTx 引脚至 SWx 引脚高端驱动器电源在死区时间内过度充电，从而保护顶部 GaN FET 的栅极。LTC7890 在内部优化了两个开关边沿的栅极驱动器时序，以实现智能近零死区时间，从而显著提升效率，甚至在高输入电压下也能实现高频运行。或者，用户可以使用外部电阻调整死区时间以进行裕量调整或定制应用。
LTC7890 的栅极驱动电压可在 4 V 至 5.5 V 范围内精确调节以优化性能，并且可使用不同的 GaN FET，甚至是逻辑电平 MOSFET。
关键特性和优势
- 为 GaN FET 全面优化的 GaN 驱动器技术
- 宽 VIN 范围：4 V 至 100 V
- 宽输出电压范围：0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
- 无需环流、箝位或阴极负载二极管
- 内部智能自举开关可防止高端驱动器电源过度充电
- 经过内部优化，智能近零停滞时间或电阻可调停滞时间
- 可调的开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器
- 精确可调驱动器电压和 UVLO
- 低工作 IQ：5 μA（48 VIN 至 5 VOUT，Ch 1 On）
- 可编程频率（100 kHz 至 3 MHz）
- 可锁相频率（100 kHz 至 3 MHz）
- 展频 (SSFM) 调制
- 40 引脚 (6 mm × 6 mm) 侧面可湿性 QFN 封装
应用
- 工业电源系统
- 军事航空电子和医疗系统
- 电信电源系统
评估板
LTC7890/LTC7891 可使用 DC2938A 进行评估。
框图和表格
