I dispositivi LTC7890/LTC7891 pilotano tutti gli stadi di potenza del FET (transistor a effetto di campo) al nitruro di gallio (GaN) sincrono a canale N da tensioni di ingresso fino a 100 V. La soluzione LTC7890 risolve molte delle sfide tradizionalmente affrontate quando si utilizzano FET GaN. LTC7890 semplifica la progettazione delle applicazioni senza necessità di diodi di protezione né di altri componenti esterni aggiuntivi rispetto a una soluzione MOSFET (transistor a semiconduttore di ossido di metallo a effetto di campo) al silicio.
Gli interruttori di bootstrap intelligenti interni impediscono il sovraccarico del pin BOOSTx sulle alimentazioni dei driver high-side del pin SWx durante i tempi morti, proteggendo il gate del FET GaN superiore. Il dispositivo LTC7890 ottimizza internamente il timing del gate driver su entrambi i fronti di commutazione per ottenere tempi morti intelligenti prossimi allo zero, migliorando significativamente l'efficienza e consentendo il funzionamento ad alta frequenza, anche a tensioni d'ingresso elevate. In alternativa, l'utente può regolare i tempi morti con resistori esterni per ottenere un margine o per personalizzare l'applicazione.
La tensione di azionamento del gate del dispositivo LTC7890 può essere regolata con precisione da 4 V a 5,5 V per ottimizzare le prestazioni e consentire l'uso di diversi FET GaN o anche MOSFET a livello logico.
Caratteristiche principali e vantaggi
- Tecnologia di azionamento GaN completamente ottimizzata per FET GaN
- Ampia gamma VIN: da 4 V a 100 V
- Ampia gamma di tensioni d'uscita: 0,8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
- Nessuna necessità di diodi catch, clamp o bootstrap
- Gli interruttori di bootstrap intelligenti interni impediscono il sovraccarico delle alimentazioni dei driver high-side
- Tempi morti intelligenti, ottimizzati internamente, prossimi allo zero o tempi morti regolabili con resistore
- Gate driver con uscita divisa per potenza di azionamento regolabile per accensione e spegnimento
- Tensione del driver regolabile e accurata e funzione UVLO
- Valore IQ basso: 5 μA (da 48 VIN a 5 VOUT, canale 1 attivo)
- Frequenza programmabile (da 100 kHz a 3 MHz)
- Frequenza sincronizzabile (da 100 kHz a 3 MHz)
- Modulazione della frequenza dello spettro di diffusione
- Package QFN a 40 conduttori (6 mm × 6 mm), bagnabile lateralmente
Applicazioni
- Sistemi di alimentazione industriale
- Avionica militare e sistemi medicali
- Sistemi di alimentazione per telecomunicazioni
Scheda di valutazione
La soluzione LTC7890/LTC7891 può essere valutata con la scheda DC2938A.
Diagrammi a blocchi e tabelle
