ワイドバンドギャップソリューション

新しいシリコンカーバイド（SiC）技術により、優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現

シリコンカーバイドの利点には、効率の向上、動作周波数の高速化、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズとコストの削減などがあります。Onsemiには、650V、900V、1200V SiC MOSFET、650V、1200V、1700V SiCダイオード、SiCゲート ドライバー、SiCモジュールを含むSiCポートフォリオがあります。

1700V SiCダイオード

NDSH25170A

onsemi

Diode Schottky SiC 1.7KV 35A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

ユニットあたり

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統合モジュール

NXH80B120H2Q0SG

onsemi

Trans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103W 20-Pin Case 180AJ Tray

ユニットあたり

NXH450B100H4Q2F2PG

onsemi

Trans IGBT Module N-CH 1000V 101A 234W Tray

ユニットあたり

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