Solutions large bande
La nouvelle technologie au carbure de silicium (SiC) offre des performances de commutation supérieures et une fiabilité accrue
Les avantages du carbure de silicium comprennent notamment une efficacité et une densité de puissance accrues, une fréquence de fonctionnement plus rapide, moins d'interférences électromagnétiques, une réduction de la taille et du coût du système. La gamme carbure de silicium (SiC) onsemi inclut notamment des diodes 650 V et 1 200 V, les transistors MOSFET 1 200 V et des drivers MOSFET SiC.
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