最先端のSiCトレンチMOSFETで損失を最小限に抑え、信頼性を向上
InfineonのCoolSiC™ MOSFETは、比類のない信頼性とパフォーマンスを提供する革新的なテクノロジーです。高いしきい値電圧 (VGS(th),typ=4.5 V) と低いQGD/QTH 比の独自の組み合わせにより、ハードスイッチングトポロジにおける寄生ターンオンに対する堅牢性が保証されます。さらに、ユニポーラ ゲート駆動が可能になり、システム レベルでのコスト削減 (ブートストラップなど) とPCBフットプリントの削減 (電力密度の向上) が実現します。
同時に、低いQoss により、ソフト スイッチング トポロジ (DAB、PSFBなど) でゼロ電圧スイッチング (ZVS) を保証するために必要な整流時間とインダクタンス値が削減されます。その結果、より高いスイッチング周波数を実現できます。
さらに、インフィニオンの生産能力とサプライチェーン戦略は、急速に増加するシリコンカーバイドMOSFETの需要に対応することが可能です。
特徴
- 低いCrss/Ciss と高いVGS(th) のユニークな組み合わせ
- 低回復で整流堅牢な高速ボディダイオード
- 優れたゲート酸化膜信頼性
- 標準ドライバーと互換性あり
- 単極駆動対応
利点
- ハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジに適しています。
- より高い堅牢性とシステム信頼性
- システムサイズの縮小により電力密度が向上
- 設計と実装の容易さ
最高のゲート酸化膜信頼性
InfineonのCoolSiC™ MOSFETのゲート酸化膜の信頼性は、業界のベンチマークとなっています。当社の高度なSiCテクノロジーと厳格なテスト手順により、当社のMOSFETは最高品質のゲート酸化物を備えています。その結果、製品の寿命期間中の故障率が低下し、お客様にとって早期の故障がなくなります。
一体型ボディダイオード
InfineonのCoolSiC™ MOSFETには、非常に堅牢なボディ ダイオードが統合されており、導電性ボディ ダイオードで連続的にハード整流を行うアプリケーション向けに特別に設計されています。この機能により、トーテムポールのようなハードスイッチングトポロジーでは追加のSiCショットキーダイオードは必要ありません。p+ 領域に埋め込まれたトレンチ底部により、ボディダイオード領域が拡張されます。
CoolSiC™ MOSFET 650Vポートフォリオをご覧ください
| RDS(on)最大 [mO] 18 V |
RDS(on)typ [mO] 18 V |
TO-247-4 |
TO-247-3 |
D2PAK-7 |
|---|---|---|---|---|
| 346 | 260 | IMGB65R260M1H | ||
| 217 | 163 | IMGB65R163M1H型番 | ||
| 141 | 107 | IMZA65R107M1H | 型番 | IMGB65R107M1H型番 |
| 111 | 83 | IMZA65R083M1H | 品番 | IMGB65R083M1H型番 |
| 94 | 72 | IMZA65R072M1H | 品番 | IMGB65R072M1H型番 |
| 74 | 57 | IMZA65R057M1H | 品番 | IMGB65R057M1H型番 |
| 64 | 48 | IMZA65R048M1H | 品番 | IMGB65R048M1H型番 |
| 50 | 39 | IMZA65R039M1H | 品番 | IMGB65R039M1H型番 |
| 42 | 30 | IMZA65R030M1H | 品番 | IMGB65R030M1H型番 |
| 34 | 27 | IMZA65R027M1H | 品番 | |
| 30 | 22 | IMGB65R022M1H型番 |
CoolSiC™ MOSFET 650V用ゲートドライバIC
InfineonのEiceDRIVER™ ゲート ドライバICは、SiC MOSFET、特にInfineonの超高速スイッチングCoolSiC™ MOSFETの駆動に最適です。
これらのゲート ドライバには、次のようなSiCを駆動するための重要な主要機能とパラメータがすべて組み込まれています。
- 厳密な伝搬遅延マッチング
- 正確な入力フィルター
- 広い出力側供給範囲
- 負のゲート電圧能力
- アクティブミラークランプ
- DESAT保護
- 拡張CMTI機能
推奨ゲートドライバIC
| 家族 | 製品 | パッケージ | 入力と出力の分離 | UVLOタイプ オン/オフ* |
出力ピーク ソース/シンク 電流1 |
CMTI (最小) |
伝播遅延（標準） |
伝播 遅延 精度 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| タイプ | 評価 | ||||||||
| 1EDB | 1EDB9275F | DSO-8 150mil |
シングル 保護 |
VISO = 3 kVrms | 14.9V / 14.4V | 5 A / -9 A (VDDO=15V、 Tamb=25℃) |
300V/ns | 45ナノ秒 | -4ナノ秒 / +6ナノ秒 |
| 1EDB6275F | 12.2V / 11.5V | ||||||||
| 1EDN-TDI | 1EDN9550B | SOT-23 6ピン |
非分離型 | CMR: ≤ ±200 VDC |
14.9V / 14.4V | 不明 | 45ナノ秒 | -7ナノ秒 / +10ナノ秒 | |
| 1EDN6550B | 12.2V / 11.5V | ||||||||
| 2EDi | 2EDB9259Y | DSO-14 150mil 3.3mmチャネル間 |
シングル 保護 |
VISO = 3 kVrms (UL 1577) |
14.9V / 14.4V | 150V/ns | 38ナノ秒 | -5ナノ秒/+9ナノ秒 | |
| 2EDR9259X | DSO-14 300mil 3.3mmチャネル間 |
強化された隔離 |
VIOTM = 8 kVpk (VDE 0884-10) VISO = 5.7 kVrms (UL 1577) |
||||||
| 2EDR9258X | |||||||||
| 2EDR6258X | 12.2V / 11.5V | ||||||||
* 18 V駆動には14.9 V UVLO部品が推奨されます。15 V駆動には12.2 V UVLO部品が推奨されます。
1チャンネル
SOT-23 6ピン
1EDNx550B
1チャンネル
DSO-8 150mil
1EDBx275F
2チャンネル
DSO-14 150mil
2EDB9259Y
2チャンネル
DSO-14 300mil
2EDRx25xX
CoolSiC™ MOSFETを駆動するのはどれくらい簡単ですか?
CoolSiC™ MOSFETの駆動は、思っているよりもはるかに簡単です。このトレーニングでは、0 Vのターンオフ ゲート電圧で駆動する方法を説明します。
アプリケーション例 - サーバーSMPSのトーテムポールPFCおよびLLC
CoolSiC™ MOSFETおよびEiceDRIVER™ IC用評価ボード
以下のInfineonの評価ボードから選択して、SiC設計を開始してください。CoolSiC™ MOSFETとEiceDRVER™ IC
| 評価_3KW_50V_PSU | |
|---|---|
 |
EVAL_3KW_50V_PSUは、サーバーおよびデータ センターのOCP V3整流器仕様を満たす3 kW電源ユニット (PSU) 向けの最先端のInfineonシステム ソリューションです。 |
| キット_1EDB_AUX_SIC | |
|---|---|
 |
KIT_1EDB_AUX_SiCは、SiC MOSFETに最適な駆動ソリューションです。絶縁された補助電源はユニポーラ駆動とバイポーラ駆動をサポートできるため、少数の抵抗器を使用してSiCの標準的な電圧レベルを簡単に構成できます。 |
| EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC | |
|---|---|
 |
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC評価ボードは、双方向電力機能を備えた最先端のブリッジレス トーテムポール力率補正装置 (PFC) 用のシステム ソリューションです。ハイエンド サーバーや通信など、高効率 (≈99%) と高電力密度 (72W/in³) を必要とするアプリケーションを対象としています。双方向電力フロー機能により、バッテリー充電器やバッテリー形成アプリケーションに最適です。 |