DIP5パッケージの高電圧PhotoMOS® リレーAQV258H5は、5kV I/O絶縁と、出力側のクリアランス距離と沿面距離の拡大を実現します。一般的な用途は、バッテリー システムでHVをLVに切り替えて適切な絶縁を確認することです。さらに、PhotoMOS® テクノロジーは、他のテクノロジーと比較して最高の信頼性と低消費電力を実現し、システムに貢献します。
新しいPhotoMOS® HEシリーズのメリットを活用できる、定格1,500 VのAQV258H5は、負荷電圧スケールの上限にあるパナソニック インダストリーのMOSFETリレー製品群を完成させます。5kV I/O絶縁と、出力側のクリアランスと沿面距離の拡大を実現します。これと1-Form-A DIP5パッケージにより、ストレージ システム、充電ステーション、および高電圧測定とインフラストラクチャの分野におけるその他多数の制御アプリケーションにおけるバッテリー監視システム (BMS) のスイッチング ソリューションとして特に興味深いものになります。
新しいAQV258H5には、さまざまな沿面距離とクリアランスの要件に対応する5つのピンが付属しており、6ピン タイプも利用できます。どちらも、スルーホール端子または表面実装端子を使用して同様に取り付けることができます。
非常に信頼性が高い: MOSFET出力を備えた PhotoMOS® リレーは、仕様に従って使用した場合、ほぼ無制限の寿命を実現します。オン抵抗は寿命全体にわたって安定しており、振動の影響を受けないため、多くの産業市場において電気機械式リレーの有益な代替手段となります。
新しいシリーズについてもっと知りたいですか?産業用または自動車用アプリケーションに適したPhotoMOS® タイプを特定する上でご質問がありますか?ARROWの営業担当者にご連絡ください。
主な機能:
- 負荷電圧: 1,500 V
- 負荷電流: 20 mA
- 出力側の沿面距離とクリアランス距離の増加
- 低制御電流
- 低リーク電流
- 寿命を通じて安定したオン抵抗
- スイッチングノイズなし
- スイッチングサイクルの回数は無制限
- DIP5パッケージ
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