El relé AQV258H5 de PhotoMOS® de alta tensión en el paquete DIP5 ofrece un aislamiento 5kV I/O y una mayor distancia de aislamiento y una mayor línea de fuga en el lado de salida. La aplicación típica es la conmutación de AT a BT en sistemas de baterías para comprobar el aislamiento adecuado. Además, la tecnología PhotoMOS® contribuye a que el sistema ofrezca la máxima fiabilidad y un bajo consumo de energía en comparación con otras tecnologías.
Aproveche las ventajas de la nueva serie PhotoMOS® HE, la AQV258H5, con una potencia de 1500 V, completa la gama de relés MOSFET de Panasonic Industry en el extremo superior de la escala de tensión de carga. Ofrece un aislamiento de E/S de 5 kV, y una mayor distancia de aislamiento y una mayor línea de fuga en el lado de salida. Esto, y su paquete DIP5 de 1 forma de tipo A, lo hacen muy interesante como solución de conmutación para sistemas de monitoreo de baterías (BMS) en sistemas de almacenamiento, estaciones de carga y otras diversas aplicaciones de control en el campo de la medición e infraestructura de alta tensión.
La nueva AQV258H5 viene con 5 pines para cumplir con diferentes requisitos de fuga y espacio libre, y además se encuentra disponible un modelo de 6 pines. Ambos pueden instalarse por igual con terminales pasantes o de montaje en superficie.
Fiabilidad impecable: los relés PhotoMOS® con salida MOSFET disfrutan de una vida útil casi ilimitada si se utilizan según las especificaciones. Su resistencia activa permanece estable durante toda su vida útil, y no se ve afectada por las vibraciones, lo que ofrece a muchos mercados industriales una alternativa beneficiosa a los relés electromecánicos.
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Características principales:
- Tensión de carga: 1500 V
- Corriente de carga de 20 mA
- Mayor distancia de seguridad y línea de fuga en el lado de salida
- Corriente de control baja
- Corriente de dispersión baja
- Resistencia activa estable a lo largo de toda la vida útil
- Sin ruidos de conmutación
- Cantidad ilimitada de ciclos de conmutación
- Paquete DIP5
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