BFP650F RF Transistor in High Linearity 2.4-GHz Low Noise Amplifier (LNA) Application

Infineon Technologies AG이 부품 BFP650F 을 사용하는 참조 설계

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Manufacturer

Infineon Technologies AG
  • 응용 프로그램 카테고리
    Wireless Communication
  • 제품 유형
    RF Amplifier

최종 제품의 경우

  • PoE Wireless Access Point

Description

  • BFP650F RF Transistor in High Linearity 2.4-GHz Low Noise Amplifier (LNA) Application. Silicon-Germanium BFP650F RF Transistor in TSFP-4 package is shown in a high-linearity 2.4 GHz LNA design. Amplifier draws 19.7 mA from +3.3V supply. +5V power supply can be used if bias resistor values are changed

최종 제품의 경우

  • Operating Frequency
    2400 to 2483.5 MHz
  • Output Power
    30.7 dBm
  • Gain
    8 to 14 dB

피쳐링 부품 (2)

피쳐링 부품
부품 번호 Manufacturer Type Description
BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R 구매
BFP 650F H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R 구매

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