BFP650F RF Transistor in High Linearity 2.4-GHz Low Noise Amplifier (LNA) Application

Diseño de referencia usando la pieza BFP650F de Infineon Technologies AG

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Fabricante

Infineon Technologies AG
  • Categoría de aplicaciones
    Comunicación inalámbrica
  • Tipo de producto
    Amplificador RF

Para productos finales

  • PoE Wireless Access Point

Descripción

  • BFP650F RF Transistor in High Linearity 2.4-GHz Low Noise Amplifier (LNA) Application. Silicon-Germanium BFP650F RF Transistor in TSFP-4 package is shown in a high-linearity 2.4 GHz LNA design. Amplifier draws 19.7 mA from +3.3V supply. +5V power supply can be used if bias resistor values are changed

Características clave

  • Operating Frequency
    2400 to 2483.5 MHz
  • Output Power
    30.7 dBm
  • Gain
    8 to 14 dB

Piezas destacadas (2)

Piezas destacadas
Número de pieza Fabricante Tipo Descripción
BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R AÑADIR AL CARRITO
BFP 650F H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R AÑADIR AL CARRITO

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