BFP740F SiGe:C Ultra Low Noise RF Transistor in 5 to 6GHz LNA Application

Diseño de referencia usando la pieza BFP740F de Infineon Technologies AG

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Fabricante

Infineon Technologies AG
  • Categoría de aplicaciones
    Comunicación inalámbrica
  • Tipo de producto
    Amplificador RF

Para productos finales

  • PoE Wireless Access Point
  • Wireless LAN

Descripción

  • BFP740F SiGe:C Ultra Low Noise RF Transistor in 5 to 6GHz LNA Application. The BFP740F is a high gain, ultra low noise Silicon-Germanium-Carbon (SiGe:C) HBT device suitable for a wide range of Low Noise Amplifier (LNA) applications

Características clave

  • Operating Frequency
    5000 to 6000 MHz
  • Output Power
    22.1 dBm
  • Gain
    16.4 dB

Piezas destacadas (2)

Piezas destacadas
Número de pieza Fabricante Tipo Descripción
BFP 740F H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 AÑADIR AL CARRITO
BFP740FH6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R AÑADIR AL CARRITO

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