BFP740F SiGe:C Ultra Low Noise RF Transistor in 5 to 6GHz LNA Application

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Fabricant

Infineon Technologies AG
  • Catégorie d'application
    Communication sans fil
  • Type de produit
    Amplificateur RF

Pour les produits finaux

  • PoE Wireless Access Point
  • Wireless LAN

Description

  • BFP740F SiGe:C Ultra Low Noise RF Transistor in 5 to 6GHz LNA Application. The BFP740F is a high gain, ultra low noise Silicon-Germanium-Carbon (SiGe:C) HBT device suitable for a wide range of Low Noise Amplifier (LNA) applications

Caractéristiques principales

  • Operating Frequency
    5000 to 6000 MHz
  • Output Power
    22.1 dBm
  • Gain
    16.4 dB

Pièces en vedette (2)

Pièces en vedette
Pièce numéro Fabricant Type Description
BFP 740F H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 Ajouter au panier
BFP740FH6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R Ajouter au panier

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