Low Cost, 3V, +12.5 dBm, 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier Using the BFP640 SiGe Transistor

使用 Infineon Technologies AG 的 BFP640 的参考设计

供应商

Infineon Technologies AG
  • 应用类别
    无线通信
  • 产品类别
    射频放大器

依据最终产品

  • Wireless
  • Wireless LAN

说明

  • Low Cost, 3V, +12.5 dBm, 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier Using the BFP640 SiGe Transistor. The Silicon-Germanium BFP640 SiGe Low Noise Transistor is shown in an SDARS active antenna LNA application

主要特色

  • Operating Frequency
    2320 to 2345 MHz
  • Output Power
    28 dBm
  • Gain
    18 dB

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