Low Cost, 3V, +12.5 dBm, 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier Using the BFP640 SiGe Transistor

Diseño de referencia usando la pieza BFP640 de Infineon Technologies AG

Fabricante

Infineon Technologies AG
  • Categoría de aplicaciones
    Comunicación inalámbrica
  • Tipo de producto
    Amplificador RF

Para productos finales

  • Wireless
  • Wireless LAN

Descripción

  • Low Cost, 3V, +12.5 dBm, 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier Using the BFP640 SiGe Transistor. The Silicon-Germanium BFP640 SiGe Low Noise Transistor is shown in an SDARS active antenna LNA application

Características clave

  • Operating Frequency
    2320 to 2345 MHz
  • Output Power
    28 dBm
  • Gain
    18 dB

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