Low Cost, 3V, +12.5 dBm, 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier Using the BFP640 SiGe Transistor

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Fabricant

Infineon Technologies AG
  • Catégorie d'application
    Communication sans fil
  • Type de produit
    Amplificateur RF

Pour les produits finaux

  • Wireless
  • Wireless LAN

Description

  • Low Cost, 3V, +12.5 dBm, 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier Using the BFP640 SiGe Transistor. The Silicon-Germanium BFP640 SiGe Low Noise Transistor is shown in an SDARS active antenna LNA application

Caractéristiques principales

  • Operating Frequency
    2320 to 2345 MHz
  • Output Power
    28 dBm
  • Gain
    18 dB

Pièces en vedette (2)

Pièces en vedette
Pièce numéro Fabricant Type Description
BFP 640 H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Ajouter au panier
BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 Ajouter au panier

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