3V, +14 dBm, 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier Using the BFP640 SiGe Transistor

Diseño de referencia usando la pieza BFP640 de Infineon Technologies AG

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Fabricante

Infineon Technologies AG
  • Categoría de aplicaciones
    Comunicación inalámbrica
  • Tipo de producto
    Amplificador RF

Para productos finales

  • Wireless

Descripción

  • 3V, +14 dBm, 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier Using the BFP640 SiGe Transistor. Silicon-Germanium BFP640 SiGe Low Noise Transistor is shown in an SDARS active antenna LNA application. The BFP640 is targeted for the 2nd stage in a 3 stage SIRIUS LNA chain

Características clave

  • Operating Frequency
    2320 to 2345 MHz
  • Output Power
    14 dBm
  • Gain
    16.9 dB

Piezas destacadas (2)

Piezas destacadas
Número de pieza Fabricante Tipo Descripción
BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 AÑADIR AL CARRITO
BFP 640 H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R AÑADIR AL CARRITO

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