了解英飞凌无线充电高效解决方案，弄清为满足当今消费者设备的需求都进行了怎样的优化。
用于消费类应用的无线充电。来自英飞凌具有成本效益的高效解决方案。
英飞凌是您在无线充电应用方面的伙伴，通过使用来自英飞凌的半导体解决方案，提高各种无线充电的设计。作为 Wireless Power Consortium 和 AirFuel Alliance 的成员，英飞凌致力于积极主动地引领潮流。
先进技术给消费者提供便利
尽管我们可以享受到移动设备的移动性，但是在充电时还是需要将它们与墙壁上的插座相连 - 直到。终端客户需要更方便的方式，对他们的设备进行充电。充电线的标准化朝着正确的方向迈进了，但是以物理方式将设备与充电器连接的时间依然没能减少。
无线充电免去了给设备充电的繁琐，让充电过程尽可能简单方便。通过电磁场将电能从发射器转移到接收器，无需通过物理连接即可对您的电池充电。无线充电电场的标准化，让市场上的发射器和接收器解决方案可以即插即用。
目标应用
- 与大多数接收器应用兼容的设备都可以无线充电。
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- 如需了解更多信息，请点击这里。
为什么英飞凌的解决方案可以适用
英飞凌是可靠的合作伙伴，可以帮助您最大限度地对您的无线充电设计进行优化。英飞凌品种繁多的元器件、解决方案和参考设计，可帮助您掌控无线充电的设计挑战。选择英飞凌，获得以下收益：
• 以行业内最高的性价比获得高性能，源于有成本效益的封装以及领先、可靠而又成熟的硅技术。
• 设计小巧却拥有高功率密度：MOSFET 最小化封装，使得开关和传导损耗最低。
• MOSFET 低寄生封装 (2x2,3x3 HB)
• 高效硬开关拓扑结构；由于输入和输出电容低，带来较低的开关损耗 (~20%)；最低开关和传导损耗的标杆
• 多种可以直接使用的参考设计，有助于实现逆变器/适配器/充电器的产品开发
无线充电标准
目前，市场上有两种无线充电标准：电磁感应式和磁共振式。这里详细介绍了这两种标准，并简单介绍各种英飞凌高品质半导体产品的前沿解决方案。
1.电磁感应式无线充电
由无线充电联盟推动的 Qi 标准，以及由 AirFuel Alliance 推动的电磁感应式 AirFuel 标准，都支持单线圈和多线圈拓扑，振荡频率在 100-300 kHz 之间，这也是今天市场上的主要解决方案。它们的广泛使用得益于其优异的性价比。磁感应式多线圈解决方案，允许多个设备同时充电，而且可以灵活摆放（通常自由度 <10 mm），而单线圈解决方案需要单一设备精确放置。磁感应式拓扑始终需要依赖带内通信。
英飞凌为发射器装置提供的产品：
逆变器 MOSFET - OptiMOS™ PQFN 3.3x3.3
经过优化的逆变器 MOSFET，适用于无线充电解决方案，而且符合磁感应式 Qi 和磁感应式 AirFuel 标准。英飞凌可靠而又成熟的硅技术 OptiMOS™，在微型 PQFN 封装中使用，让您的发射器解决方案的性能得到提高。导通电阻低至 8.6 mΩ 的 BSZ0994NSATMA1 以及导通电阻更低达到 4.4 mΩ 的 BSZ0589NSATMA1，是您逆变器 MOSFET 的明智之选。
通过使用该 BSC0993NDATMA1 30 V 低电压 MOSFET，OptiMOS™ 技术得以引入小型 PowerStage 5x6 封装，导通电阻低至 7mΩ。BSC0993NDATMA1 在待机和满负荷运行状态下，都拥有优越的电子干扰表现，以及最高的功率密度和能量效率，使得它完美适用于您的无线充电解决方案。
线圈选择开关 - IR MOSFET™ PQFN 2x2 封装
多线圈解决方案会需要线圈选择开关，以便将电力引导至所需的地方。英飞凌推荐 IR MOSFET™ IRLHS6342TRPbF拥有低导通电阻和低于 1.0 mm 的外形高度，IRLHS6342TRPbF 开关完美适用于您的设计。
2.磁共振式无线充电
AirFuel 还提供一种在 6.78 MHz 频率下运行的谐振式电磁感应拓扑技术。其优点是更好的用户友好性，因为您可以将移动设备自由放置在发射器附近（通常可高达 30 毫米的垂直高度），并且可以同时为多个不同尺寸和功率的设备充电。它使用低功耗蓝牙通信。
英飞凌为发射器装置提供的产品：
英飞凌提供卓越的功率 MOSFET 技术，特别是在 D 类逆变器设计 30 V-100 V 领域以及 E 类逆变器 150 V-250 V 电压等级，实现 MHz 级的开关频率。为快速开关和栅极电荷乘导通电阻和输出电容最佳品质因数而进行优化的鲁棒硅 MOSFET 技术，使得它可以用于实现 6.78 MHz 逆变器设计。
BSZ0909ND OptiMOS™半桥
无线充电或驱动（如无人机和四螺旋桨直升机）架构的设计者，注重简化布局以及显著节约空间，BSZ0909ND 能完美与之匹配而且不会影响效率。
所使用的 OptiMOS™ 技术，与 PQFN 3x3 封装相结合，给对空间要求高的 DC/DC 应用提供最优方案。
而且就快速开关而言，BSZ0909ND 是一款行业领先的产品。它拥有优化过的栅极电荷乘导通电阻品质因素 (Qg*RDS(on)) ，在 6.78 MHz 下能达到较低的开关和传导损耗。
IR MOSFET™
对于多线圈设计，英飞凌推荐易于使用的 IR MOSFET™ 器件，如 IRL60HS118 和 IRL80HS120 - 逻辑电平功率 MOSFETs - 特别适用于无线充电应用。PQFN 2x2 封装特别适用于高速开关和体积大小关键的应用，不仅功率密度和效能得到提高，而且显著节省空间。
栅极电荷 Qg 低，能降低开关损耗，而且不会牺牲传导损耗。尽管栅极电荷低，该逻辑电平产品与仅次于的替代产品相比，能实现更低的导通电阻。品质因数 (FoM) 得到提高，可以在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供较低的栅极阈值电压 VGS(th) ，使得 MOSFET 能够直接从微控制器以低至 5 V 的电压驱动。
OptiMOS™ 功率 MOSFET
英飞凌 OptiMOS™ 功率 MOSFET 为您的无线功率发射器设计配备小巧的 PQFN 3.3x3.3 封装，拥有极佳的导通电阻以及充电特性。对于 E 类拓扑中的使用，英飞凌推荐导通电阻为 28 mΩ 的 BSZ900N20NS3 200V OptiMOS™ 功率 MOSFET 或导通电阻为 200 mΩ 的BSZ22DN20NS3 200V OptiMOS™ 功率 MOSFET。
对于 D 类拓扑，以 PQFN 3.3x3.3 封装的 BSZ065N03LS 30V OptiMOS™ 最为适用，导通电阻低至仅仅 6.9mΩ。
