Obtenga más información sobre las soluciones de carga inalámbrica Infineon eficientes y descubra cómo se pueden optimizar para satisfacer las necesidades de los dispositivos comerciales de hoy en día.
Carga inalámbrica para aplicaciones comerciales. Solución económica y altamente eficiente de Infineon.
Mejore todo el diseño de carga inalámbrica con las soluciones de semiconductores correctas de Infineon, su socio para las aplicaciones de carga inalámbrica. Como miembro del Consorcio de la Energía Inalámbrica y la entidad AirFuel Alliance, Infineon se dedica a darle forma activamente a las tendencias del futuro.
La tecnología avanzada entrega conveniencia para el consumidor
A pesar de toda la movilidad que está disfrutando, aún debemos conectar los dispositivos móviles a la pared. Los clientes finales exigen formas más convenientes de cargar sus dispositivos. La estandarización de los cables de cargador fue un paso en la dirección correcta, pero no redujo el tiempo ocupado en conectar físicamente los dispositivos a los cargadores.
La carga inalámbrica elimina el problema de volver a cargar los dispositivos y lo hace de la forma más conveniente posible. Al usar los campos electromagnéticos para transferir energía de un transmisor a una aplicación de receptor, carga la batería sin una conexión física. La estandarización en el campo de carga inalámbrica permite la compatibilidad plug and play de las soluciones de transmisor y receptor disponibles en el mercado.
Aplicaciones objetivo
- Dispositivos compatibles de una amplia gama de aplicaciones de receptor pueden cargarse sin cables.
- Para obtener más información, haga clic aquí.
Por qué Infineon tiene las soluciones correctas
Tener un socio confiable de su parte puede ayudarlo a optimizar al máximo los diseños de carga inalámbrica. La amplia selección de componentes, soluciones y diseño de referencia de Infineon le permite dominar sus desafíos de diseño para carga inalámbrica. Elija Infineon y obtenga beneficios de:
• Las soluciones de alto rendimiento con la mejor relación precio-rendimiento en la industria provienen de paquetes económicos y tecnología de silicona líder, confiable y avanzada.
• Densidad de potencia alta para diseños pequeños: menores pérdidas por conmutación y conducción en los paquetes más pequeños para MOSFETS
• Paquetes parásitos bajos para MOSFET (2x2,3x3 HB)
• La eficiencia más alta en las topologías de conmutación fija; pocas pérdidas de conmutación (~20%) debido a las capacitancias bajas de entrada y salida; referente para las menores pérdidas por conmutación y conducción
• Una amplia selección lista para usar de diseños de referencia para crear su solución de inversor/adaptador/cargador
Estándares de carga inalámbrica
En la actualidad, en el mercado se destacan dos estándares de carga inalámbrica: inductiva y resonante. Esta es una mirada detallada a cada una de ellas, además de una descripción general de las soluciones de vanguardia de la cartera completa de semiconductores de alta calidad de Infineon.
1. Carga inalámbrica inductiva
Qi, con respaldo del Consorcio de la Energía Inalámbrica, y AirFuel inductivo, con el respaldo de AirFuel Alliance, que admiten las topologías inductivas de bobina única y bobinas múltiples, y usan frecuencias de 100 a 300 kHz, dominan el mercado actual si se mide por volumen. Su uso generalizado se puede atribuir a su economía. Si bien las soluciones inductivas de bobinas múltiples permiten una posición más flexible de carga de varios dispositivos (con una libertad típica de <10 mm), las soluciones inductivas de bobina única requieren una posición casi exacta de un solo dispositivo. Las topologías inductivas siempre se basan en la comunicación en banda.
Ofertas de producto de Infineon para la unidad de transmisor:
MOSFET de inversor: OptiMOS™ PQFN 3.3x3.3
Los MOSFET de inversor optimizados para las soluciones de carga inalámbrica cumplen con los estándares inductivos Qi y AirFuel. La tecnología de silicona confiable y avanzada de Infineon, OptiMOS™ en paquetes PQFN pequeños permite niveles de alta eficiencia para la solución de transmisor. BSZ0994NSATMA1 con un RDS(on) bajo de 8,6 mΩ y BSZ0589NSATMA1 con una resistencia en estado activo incluso menor de solo 4,4 mΩ son las piezas correctas para los MOSFET de inversor.
Con el MOSFET de bajo voltaje de 30 V BSC0993NDATMA1, la tecnología OptiMOS™ se presenta en un paquete pequeño PowerStage 5x6 con RDS(on) bajo de 7 mΩ. El comportamiento de EMI optimizado, la densidad de potencia más alta y la eficiencia energética, tanto en espera como en pleno funcionamiento, hacen que BSC0993NDATMA1 sea la opción perfecta para la solución de carga inalámbrica.
Conmutador de selección de bobina: MOSFET IR™ en PQFN 2x2
Para soluciones de múltiples bobinas, los conmutadores de selección de bobina son necesarios para llevar la potencia donde se requiera. Infineon recomienda el MOSFET IR™ IRLHS6342TRPbF. Con su RDS(on) bajo y el perfil bajo de menos de 1,0 mm, IRLHS6342TRPbF es el conmutador perfecto para su diseño.
2. Carga inalámbrica resonante
AirFuel también ofrece una topología inductiva resonante que usa la frecuencia de 6,78 MHz. Las ventajas incluyen la facilidad de uso mejorada gracias a la que puede colocar con libertad el dispositivo que se debe cargar en la proximidad del transmisor (por lo general, hasta 30 mm de la libertad vertical) y cargar múltiples dispositivos de tamaño y potencia diferentes. Se comunica con Bluetooth® de baja energía.
Oferta de producto de Infineon para la unidad de transmisor:
Infineon ofrece la tecnología MOSFET de potencia superior, en especial en las áreas de 30 V a 100 V para los diseños de inversor de clase D y la clase de voltaje de 150 V a 2502 V para el inversor de clase E a fin de abordar las implementaciones de conmutación MHz. La tecnología MOSFET de silicona sólida optimizada para la conmutación rápida y el mejor factor de mérito para los tiempos de carga de compuerta RDS(on) y Coss permiten que logre diseños de inversor de 6,78 MHz.
Medio puente BSZ0909ND OptiMOS™
BSZ0909ND se ajusta a la perfección en arquitecturas de carga o unidades inalámbrica (por ejemplo, drones y multicópteros) donde los diseñadores apuntan a la simplificación del diseño y ahorro considerable de espacio sin sacrificar la eficiencia.
La tecnología OptiMOS™ utilizada en combinación con el paquete PQFN 3x3 ofrece una solución optimizada para aplicaciones CC/CC con requisitos críticos de espacio.
Además, BSZ0909ND es un producto líder en la industria cuando se trata de conmutación rápida. Tiene un factor de mérito optimizado para tiempos de carga de compuerta RDS(on) (Qg*RDS(on)) para lograr pérdidas por conmutación y conducción bajas a 6,78 MHz.
MOSFET IR™
Para diseños de múltiples bobinas, Infineon recomienda sus dispositivos MOSFET™ fáciles de usar, como IRL60HS118 y IRL80HS120 (MOSFET de potencia de nivel lógico) que son altamente compatibles con aplicaciones de carga inalámbrica. El paquete PQFN 2x2 es especialmente conveniente para la conmutación de alta velocidad y aplicaciones críticas de factor de forma, lo que permite una densidad de potencia alta y mejor eficiencia, así como también un ahorro de espacio considerable.
La carga baja de compuerta Qg reduce las pérdidas por conmutación sin sacrificar las pérdidas por conducción. A pesar de la carga baja de compuerta, los productos de nivel lógico permiten un RDS(on) menor en comparación con las mejores alternativas próximas. Los factores de forma (FoM) mejorados permiten operaciones con altas frecuencias de conmutación. Además, la unidad de nivel lógico proporciona un bajo voltaje de umbral de compuerta VGS(th) que permite que MOSFET se alimente a 5 V y directamente desde los microcontroladores.
MOSFET con potencia OptiMOS™
Los MOSFET con potencia OptiMOS™ de Infineon ofrece un RDS(on) excelente y características de carga en un paquete PQFN 3.3x3.3 pequeño para el diseño de transmisor de energía inalámbrica. Para las topologías clase E, Infineon recomienda el MOSFET de potencia BSZ900N20NS3 de 200 V OptiMOS™ con una resistencia en estado inactivo de 28 mΩ o el MOSFET de potencia BSZ22DN20NS3 de 200 V OptiMOS™ con un valor RDS(on) de 200 mΩ.
Para la topología clase D, BSZ065N03LS de 30 V OptiMOS™ en PQFN 3.3x3.3 es la opción perfecta, lo que ofrece un valor RDS(on) bajo de solo 6,9 mΩ.
