Conosci le soluzioni efficienti di ricarica wireless Infineon e scopri come sono ottimizzate per soddisfare le necessità degli odierni dispositivi di consumo.
Ricarica wireless per applicazioni di consumo. Soluzioni altamente efficienti ed economiche di Infineon.
Migliora ogni progetto di ricarica wireless con le giuste soluzioni di semiconduttori di Infineon, il tuo partner per le applicazioni di ricarica wireless. In qualità di membro di Wireless Power Consortium e AirFuel Alliance, Infineon si dedica a dare attivamente forma alle tendenze di domani.
La tecnologia avanzata assicura comodità per i consumatori
Nonostante tutta la mobilità di cui godiamo, colleghiamo ancora i nostri dispositivi mobili al muro. I consumatori finali ci chiedono modi più comodi per caricare i loro dispositivi. La standardizzazione dei cavi dei caricatori ha rappresentato un passo nella giusta direzione, ma non ha ridotto il tempo impiegato per collegare fisicamente i dispositivi ai caricatori.
La carica wireless elimina il problema di ricaricare i dispositivi e rende il processo il più comodo possibile. Utilizzando i campi elettromagnetici per trasferire energia da un trasmettitore a un'applicazione di ricezione, essa carica la batteria senza una connessione fisica. La standardizzazione nel campo della carica wireless consente la compatibilità plug-and-play delle soluzioni dei trasmettitori e ricevitori presenti sul mercato.
Applicazioni target
- I dispositivi compatibili di un'ampia gamma di applicazioni di ricezione possono caricarsi senza cavi.
- Per ulteriori informazioni, fare clic qui.
Perché Infineon ha le soluzioni giuste
Avere un partner affidabile dalla tua parte può aiutarti a ottimizzare al massimo i progetti di ricarica wireless. L'ampia scelta di componenti, soluzioni e progetti di riferimento di Infineon ti aiuta a padroneggiare le sfide progettuali di ricarica wireless. Scegli Infineon e beneficia di:
• Soluzioni con prestazioni elevate con il miglior rapporto qualità/prezzo dell'industria, derivanti da pacchetti economici e tecnologia matura, affidabile e leader di settore basata sul silicio.
• Densità ad alta potenza per progetti di piccole dimensioni: le perdite di conduzione e commutazione più basse nei pacchetti più piccoli per MOSFET
• Pacchetti parassitici bassi per MOSFET (2x2,3x3 HB)
• La massima efficienza nelle topologie a commutazione fisica; perdite di commutazione ridotte (~20%) grazie alle basse capacità di input e output; benchmark per le perdite di commutazione e conduzione più basse
• Una vasta gamma di progetti di riferimento pronti all'uso per creare una soluzione personalizzata di inverter, adattatore o caricatore
Standard di ricarica wireless
Attualmente esistono sul mercato due standard di ricarica wireless: induttivo e risonante. Di seguito, vengono fornite una descrizione dettagliata di entrambi e una panoramica delle soluzioni all'avanguardia incluse nel portafoglio completo di semiconduttori di alta qualità di Infineon.
1. Ricarica wireless induttiva
Il mercato, misurato in termini di volume, è oggi dominato dagli standard induttivi Qi, sviluppato da Wireless Power Consortium, e AirFuel, sviluppato da AirFuel Alliance, i quali supportano entrambi topologie a bobina singola oppure multipla e utilizzano frequenze di 100-300 kHz. Il loro utilizzo diffuso può essere attribuito alla loro economicità. Mentre le soluzioni induttive a bobina multipla consentono una posizione più flessibile dei molteplici dispositivi da caricare (con una libertà solitamente pari a <10 mm), quelle induttive a bobina singola richiedono una posizione quasi esatta di un singolo dispositivo. Le topologie induttive si basano sempre sulla comunicazione in-band.
Offerta di prodotti Infineon per l'unità trasmittente:
Inverter con MOSFET-OptiMOS™ PQFN 3,3 x 3,3
Inverter con MOSFET ottimizzati per soluzioni di ricarica wireless conformi agli standard induttivi Qi e AirFuel. L'affidabile e matura tecnologia al silicio OptiMOS di Infineon™ in pacchetti PQFN di piccole dimensioni permette elevati livelli di efficienza nelle soluzioni per il trasmettitore. Il BSZ0994NSATMA1 con un valore RDS(on) pari a 8,6 mΩ e il BSZ0589NSATMA1 con una resistenza in stato on ancora più bassa, pari a soltanto 4,4 mΩ, sono le parti giuste degli inverter con MOSFET.
Con il MOSFET a basso voltaggio da 30 V BSC0993NDATMA1, la tecnologia OptiMOS™ è introdotta nel pacchetto PowerStage 5x6 di dimensioni ridotte con un valore RDS(on) di 7 mΩ. Il comportamento EMI ottimizzato, la massima densità di potenza e l'efficienza energetica, sia in standby che in modalità operativa completa, rendono il BSC0993NDATMA1 la scelta perfetta per le soluzioni di ricarica wireless.
Interruttore di selezione di bobina - IR MOSFET™ in PQFN 2x2
Per le soluzioni a bobina multipla, gli interruttori di selezione di bobina sono necessari per portare la potenza dove è necessaria. Infineon raccomanda l'IR MOSFET™ IRLHS6342TRPbF. Con il suo basso valore RDS(on) e il suo profilo ridotto inferiore a 1,0 mm, l'IRLHS6342TRPbFè l'interruttore perfetto per i tuoi progetti.
2. Ricarica wireless risonante
AirFuel offre anche una topologia induttiva risonante che utilizza la frequenza 6.78 MHz. I vantaggi includono la maggiore semplicità di utilizzo, poiché è possibile collocare liberamente il dispositivo da caricare nelle vicinanze del trasmettitore (solitamente con una libertà verticale fino a 30 mm) e la possibilità di caricare molteplici dispositivi di dimensioni e potenza diverse. Comunica utilizzando Bluetooth® Low Energy.
Offerta di prodotti Infineon per l'unità trasmittente:
Infineon, per rispondere alle implementazioni di commutazione MHz, offre una tecnologia MOSFET di potenza superiore specialmente nelle aree 30 V-100 V per i progetti con inverter di classe D e nella classe di voltaggio 150 V-250 V per gli inverter di classe E. La tecnologia resistente MOSFET in silicio ottimizzata per la commutazione rapida e la migliore FOM (Figure of Merit) per il tempo di carica del gate RDS(on) e Coss consente di realizzare progetti con inverter da 6.78 MHz.
Half-bridge BSZ0909ND OptiMOS™
Il BSZ0909ND si inserisce perfettamente nelle architetture di carica wireless o drive (ad esempio, droni e multicopter) in cui i progettisti puntano a semplificare il layout e a risparmiare significativamente spazio senza compromettere l'efficienza.
La tecnologia OptiMOS™ utilizzata, unita al pacchetto PQFN 3x3, offre una soluzione ottimizzata per le applicazioni DC/DC con requisiti di spazio ridotti.
Inoltre, il BSZ0909ND è un prodotto leader di settore per la commutazione rapida e ha un FOM (Figure of Merit) ottimizzato per i tempi di carica del gate RDS(on) (Qg*RDS(on)), al fine di ottenere perdite basse di commutazione e conduzione a 6.78 MHz.
IR MOSFET™
Per i progetti a bobina multipla, Infineon raccomanda i dispositivi IR MOSFET™ di facile utilizzo, come il IRL60HS118 e il IRL80HS120, MOSFET di potenza di livello logico, che sono estremamente adatti per le applicazioni di ricarica wireless. Il pacchetto PQFN 2x2 è particolarmente adatto per la commutazione ad alta velocità e le applicazioni in cui è importante il fattore forma, consentendo una densità di potenza elevata nonché un significativo risparmio di spazio.
La bassa carica Qg del gate riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. Nonostante la carica del gate bassa, i prodotti di livello logico raggiungono un valore RDS(on) inferiore rispetto alle successive alternative migliori. I migliorati FOM (Figure of Merit) permettono di eseguire operazioni a frequenze di commutazione rapide. Inoltre, il drive di livello logico fornisce una tensione di soglia del gate bassa VGS(th) che consente al MOSFET di essere utilizzato a 5 V e direttamente dai microcontroller.
MOSFET di potenza OptiMOS™
I MOSFET di potenza™ OptiMOS di Infineon offrono eccellenti RDS(on) e caratteristiche di carica in un pacchetto PQFN 3,3 x 3,3 di dimensioni ridotte per progetti di trasmettitori di potenza wireless. Per l'utilizzo nelle topologie di classe E, Infineon raccomanda il MOSFET di potenza OptiMOS BSZ900N20NS3 da 200 V™ con una resistenza in stato on pari a 28 mΩ oppure il MOSFET di potenza OptiMOS da 200 V BSZ22DN20NS3 ™ con un valore RDS(on) pari a 200 mΩ.
Per la topologia di classe D, il BSZ065N03LS da 30 V OptiMOS™ in PQFN 3,3 x 3,3 è la scelta perfetta, poiché offre un valore RDS(on) basso pari a soltanto 6,9 mΩ.
