Apprenez-en plus sur les solutions de chargement sans fil Infineon efficaces et découvrez comment elles sont optimisées pour répondre aux besoins des appareils grand public de nos jours.
Chargement sans fil pour les applications grand public. Solutions hautement efficaces et rentables d'Infineon.
Améliorez toutes les conceptions de chargement sans fil avec les bonnes solutions de semiconducteurs d'Infineon, votre partenaire pour les applications de chargement sans fil. En tant que membre du Wireless Power Consortium et de l'Alliance AirFuel, Infineon est dédié à façonner activement les tendances de demain.
Technologie avancée pour plus de commodité pour le consommateur
En dépit de toute la mobilité dont nous profitons, nos appareils mobiles doivent toujours être rattachés au mur. Les clients finaux souhaitent des manières plus pratiques pour charger leurs appareils. La standardisation des câbles de chargeurs a été un premier pas dans la bonne direction, mais cela n'a pas réduit le temps de connexion physique requis des appareils aux chargeurs.
Le chargement sans fil supprime les complications liées à la réalimentation de vos appareils, rendant le processus aussi pratique que possible. En utilisant les champs électromagnétiques pour transférer la puissance d'un émetteur vers une application de réception, vous pouvez charger votre batterie sans connexion physique. La standardisation appliquée au champ de chargement sans fil permet la compatibilité plug-and-play des solutions d'émetteur et de récepteur sur le marché.
Applications cibles
- Les appareils compatibles d'une large gamme d'applications de récepteur peuvent alimenter les appareils sans câble.
- Pour plus d'informations, cliquez ici.
Pourquoi Infineon offre les bonnes solutions
Avoir un partenaire fiable à vos côtés peut vous aider à optimiser au maximum vos conceptions de chargement sans fil. La large sélection de composants, de solutions et de nouveaux modèles de référence d'Infineon vous aide à relever vos défis de conception de chargement sans fil. Choisissez Infineon et profitez de :
• Solutions haute performance offrant le meilleur rapport prix/performance de l'industrie résultant de modules rentables et d'une technologie silicium fiable, aboutie, de premier plan
• Densité à puissance élevée pour petites conceptions : pertes de commutation et de conduction les plus faibles dans les plus petits boîtiers pour MOSFET
• Boîtiers avec faible parasite pour MOSFET (2x2, 3x3 HB)
• Efficacité la plus élevée dans des topologies de commutation dures ; faibles pertes de commutation (~20 %) grâce à de faibles capacités d'entrée et de sortie ; référence en termes de pertes de commutation et de conduction les plus faibles
• Une large gamme de modèles de référence prêts à l'emploi afin de créer votre solution de chargeur/de convertisseur/d'adaptateur
Standards de chargement sans fil
Actuellement, deux standards de chargement sans fil se démarquent : inductif et par résonance. Voici une description détaillée de l'un et l'autre, ainsi qu'une présentation des solutions à la pointe de la technologie du portefeuille complet de semiconducteurs de haute qualité d'Infineon.
1. Chargement sans fil inductif
Le Qi, du Wireless Power Consortium et l'AirFuel inductif de l'AirFuel Alliance, les deux prenant en charge les topologies inductives à bobine simple et multiple et utilisant des fréquences de 100 à 300 kHz, dominent de nos jours le marché, mesuré selon le volume. Leur utilisation répandue peut être attribuée à leur rentabilité. Tandis que les solutions à plusieurs bobines inductives permettent une position plus flexible de plusieurs appareils à charger (avec une liberté typique < 10 mm), les solutions à une seule bobine inductives nécessitent une position quasi exacte d'un seul appareil. Les topologies inductives se reposent toujours sur des communications sur bande.
Offres de produit d'Infineon pour l'émetteur :
Transistor MOSFET convertisseur - OptiMOS™ PQFN 3.3x3.3
Les MOSFET convertisseur optimisés pour les solutions de chargement sans fil conformes aux normes Qi et AirFuel inductive. La technologie silicium fiable et aboutie d'Infineon, OptiMOS™, dans des boîtiers PQFN minuscules permet d'atteindre des niveaux d'efficacité élevés dans votre solution d'émetteur. BSZ0994NSATMA1 avec un faible RDS(on) de 8,6 mΩ et BSZ0589NSATMA1 avec une résistance à l'état passant encore plus faible de seulement 4,4 mΩ sont les pièces appropriées pour vos MOSFET convertisseur.
Avec le MOSFET basse tension de 30 V BSC0993NDATMA1, la technologie OptiMOS™ est fournie dans un petit boîtier PowerStage 5x6 avec un faible RDS(on) de 7 mΩ. Le comportement EMI optimisé, la densité à puissance élevée et l'efficacité énergétique, en mode veille et de fonctionnement, font du BSC0993NDATMA1 le composant idéal pour votre solution de chargement sans fil.
Commutateur de sélection de bobine - IR MOSFET™ dans PQFN 2x2
Pour les solutions à plusieurs bobines, les commutateurs de sélection de bobine sont requis pour apporter de la puissance là où elle est nécessaire. Infineon recommande l'IR MOSFET™ IRLHS6342TRPbF. Avec son faible RDS(on) et sa petite taille de moins de 1,0 mm, l'IRLHS6342TRPbF est le commutateur parfait dans votre conception.
2. Chargement sans fil par résonance
AirFuel offre également une topologie inductive par résonance qui utilise la fréquence 6,78 MHz. Les avantages incluent une plus grande facilité d'utilisation car vous pouvez librement placer l'appareil devant être chargé à proximité de l'émetteur (en général, jusqu'à 30 mm de liberté verticale) et des appareils à plusieurs chargeurs de différentes tailles et puissances. Il communique en utilisant une faible énergie Bluetooth®.
Offre de produit d'Infineon pour l'émetteur :
Infineon offre une technologie MOSFET de puissance supérieure, en particulier dans les parties 30 V-100 V pour les conceptions de convertisseur de classe D et dans la classe de tension 150 V-250 V pour le convertisseur de classe E pour répondre aux implémentations de convertisseur MHz. La robuste technologie MOSFET en silicium optimisée pour la commutation rapide et le meilleur facteur de mérite pour le RDS(on) de temps de charge barrière et le Coss lui permet d'obtenir des conceptions de convertisseur de 6,78 MHz.
BSZ0909ND OptiMOS™ à demi-pont
Le BSZ0909ND s'adapte parfaitement dans les architectures de chargement sans fil ou de pilotage (par ex., les drones ou les multicoptères) dans lesquelles les concepteurs recherchent la simplification de la disposition et à faire des économies significatives sans faire de compromis sur l'efficacité.
La technologie OptiMOS™ utilisée combinée au boîtier PQFN 3x3 offre une solution optimisée pour les applications CC/CC avec de grandes exigences en termes d'espace.
De plus, le BSZ0909ND est un produit de premier plan du secteur lorsqu'il s'agit de commutation rapide. Il dispose d'un facteur de mérite optimisé pour le RDS(on) de temps de charge barrière (Qg*RDS(on)) pour atteindre de faibles pertes de commutation et de conduction de 6,78 MHz.
IR MOSFET™
Pour les conceptions à plusieurs bobines, Infineon recommande ses appareils IR MOSFET™ faciles à utiliser comme l'IRL60HS118 et l'IRL80HS120 - MOSFET de puissance de niveau logique - qui sont très adaptés pour les applications de charge sans fil. Le boîtier PQFN 2x2 est particulièrement adapté pour les applications critiques de facteur forme et de commutation à haute vitesse permettant une densité à puissance élevée et une meilleure efficacité, ainsi que des économies d'espace significatives.
La faible charge barrière Qg réduit les pertes de commutation sans compromettre les pertes de conduction. En dépit de la faible charge barrière, les produits de niveau logique atteignent un faible RDS(on) comparé aux autres meilleures options. Le facteur de mérite amélioré permet des opérations à hautes fréquences de commutation. De plus, l'entraînement de niveau logique fournit une faible tension de seuil barrière VGS(th) permettant au MOSFET d'être entraîné à 5 V et directement depuis des microcontrôleurs.
MOSFET de puissance OptiMOS™
Les MOSFET de puissance OptiMOS™ d'Infineon offrent un excellent RDS(on) et des caractéristiques de charge dans un petit boîtier PQFN 3.3x3.3 pour votre conception d'émetteur sans fil. Pour une utilisation dans les topologies de classe E, Infineon recommande le BSZ900N20NS3, MOSFET de puissance OptiMOS™ 200 V avec une résistance à l'état passant de 28 mΩ ou le BSZ22DN20NS3, MOSFET de puissance OptiMOS™ 200 V avec une valeur de RDS(on) de 200 mΩ.
Pour la topologie de classe D, le BSZ065N03LS OptiMOS™ 30 V dans un boîtier PQFN 3.3x3.3 est idéal, offrant une faible valeur de RDS(on) de seulement 6,9 mΩ.
