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| N° de référence | Prix | Stock | Fabricant | Catégorie | Description | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Category | Configuration | Number of Elements per Chip | Operating Junction Temperature - (°C) | Channel Mode | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Typical Fall Time - (ns) | Supplier Package | Tradename | Typical Rise Time - (ns) | Maximum Continuous Drain Current Range - (A) | Maximum Drain Source Voltage - (V) | Process Technology | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Channel Type | Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | Maximum IDSS - (uA) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Package Family Name | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Operating Temperature - (°C) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Material | Minimum Operating Temperature - (°C) | Typical Turn-On Delay Time - (ns) | ROHS | Maximum Gate Source Voltage - (V) | Pin Count | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Life Cycle | Typical Turn-Off Delay Time - (ns) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Output Capacitance - (pF) | Packaging |
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Fiche technique pour 1 produit: Afficher
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Divers
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GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GR80MT12J
Silicon Carbide Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |