Quazar製品ファミリの紹介のパート2では、 MoSys, Inc. の製品定義およびアプリケーション担当ディレクターのMark Baumannが、MoSysのマルチパーティション レート デバイスの独自のアーキテクチャと現在の市場のQDRデバイスを比較します。これらのデバイスが現在のQDRアプリケーションの置き換えや強化に最適である理由について詳しく説明します。
MoSysがQuazar製品ラインで使用することを選択したセル設計では、組み込みDRAM設計が採用されています。利点としては、ドライバ サイズの縮小、消費電力の低減、速度の高速化、EDRAMセルよりも約53% 大きいソリューションなどが挙げられます。
MSQデバイスの独自のQuad Partition構造と、各FPGAクロック サイクル中にMSQデバイスがTDM方式で4つのパーティションすべてにアクセスするという事実により、各パーティションは、関連付けられたFPGAクロック レートに関連付けられた指定されたTrcでメモリ アクセスを完了する必要があります。4つのパーティションそれぞれでアクセスが発生するには、これもそのクロック時間内に実行する必要があります。これにより、1つのFPGAクロック サイクルで4つの独立したアクセス ポイントが生成されます。
この独自のパーティショニングとラウンドロビン アクセス パターンにより、QDRなどのSRAMよりも柔軟性が高く、帯域幅が拡大します。
MoSysメモリ アーキテクチャの次の革新は、メモリ アレイをQuad Partitionsに分割したことです。ケース内のパーティションは、MSQ220の場合は2M x 72 (144Mb)、MSQ230の場合は4M x72 (288Mb) になります。これは現在のQDRデバイスの密度に相当します。MoSysデバイスには4つのパーティションがあるため、1つのパッケージに4つのQDRデバイスが相当します。
密度に加えて、バス構造により、各パーティションに完全に独立したメモリ構造として、または統合メモリの一部としてアクセスできるようになります。これにより、ユーザーは各GCIポートから4つのパーティションそれぞれに1つずつ、4つの独立した72ビット ワードにアクセスできるようになります。
まとめ
MoSysマルチパーティション レート デバイスの独自のアーキテクチャにより、ユーザーは次世代メモリへのSRAMのようなアクセスが可能になります。このデバイスは、帯域幅、速度、可用性を提供し、機能強化に向けた確固たるロードマップを備えています。これらのデバイスは、現在のQDRアプリケーションの置き換えや強化に最適です。
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