几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况正在逐渐改变。由两种或三种材料制成的复合半导体已研发成功，并具有独特的优点和优越的特性。
例如，复合半导体给我们带来了发光二极管 (LED)，其中一种由砷化镓 (GaAs) 和磷化砷镓 (GaAsP) 混合而成，其他则使用铟和磷。问题是，复合半导体更难制造，成本也更昂贵。然而，与硅相比，它们具有显著的优势。设计人员发现，复合半导体能更好地满足汽车电气系统和电动汽车 (EV) 等新的苛刻应用的严格规格要求。
氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率晶体管是作为解决方案出现的两种此类复合半导体器件。
面世已久的硅功率 LDMOS MOSFET 和超级−结 MOSFET 开展竞争。GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但也存在显著的差异。
这篇来自 onsemi 的文章深入探讨了这一主题，比较了两种选择，并提供了一些事实，以帮助您为下一个设计做出明智的决定。