数十年にわたり、シリコンはトランジスタの世界を支配してきました。しかし、それは徐々に変化してきています。2つまたは3つの材料から構成される複合半導体が開発されており、独自の利点と優れた特性を備えています。
たとえば、化合物半導体によって発光ダイオード (LED) が生まれました。1つのタイプは、ガリウムヒ素 (GaAs) とガリウムヒ素およびリン (GaAsP) の混合物で構成されています。その他にはインジウムとリンを使用するものもあります。問題は、化合物半導体は製造が難しく、コストも高いことです。しかし、シリコンに比べて大きな利点があります。設計者は、複合半導体が自動車の電気システムや電気自動車 (EV) などの新しい要求の厳しいアプリケーションの厳しい仕様要件をよりよく満たすことに気づき始めています。
解決策として登場した2つの複合半導体デバイスは、窒化ガリウム (GaN) とシリコンカーバイド (SiC) パワートランジスタです。
長寿命シリコンパワーLDMOS MOSFETとスーパージャンクションMOSFET。GaNデバイスとSiCデバイスはいくつかの点で似ていますが、大きな違いもあります。
onsemi のこの記事では、このトピックを詳しく掘り下げ、2つのオプションを比較し、次の設計について十分な情報に基づいた決定を下すのに役立ついくつかの事実を紹介します。