El silicio ha dominado el mundo de los transistores durante varias décadas. Pero esto ha cambiado poco a poco. Ya existen los semiconductores compuestos de dos o tres materiales, los cuales ofrecen beneficios únicos y características superiores.
Por ejemplo, los semiconductores compuestos permitieron la creación del diodo emisor de luz (LED). Uno de estos tipos está hecho con una combinación de arseniuro de galio (GaAs) y arseniuro de galio con fósforo (GaAsP). Otros utilizan indio y fósforo. El problema es que los semiconductores compuestos son más costosos y difíciles de fabricar. Sin embargo, los beneficios que ofrecen son muy superiores a los del silicio. Los diseñadores han descubierto que los semiconductores compuestos cumplen mejor los requisitos estrictos de especificaciones de las nuevas aplicaciones demandantes, como los sistemas eléctricos automotrices y los vehículos eléctricos (EV).
Entre los dispositivos con semiconductores compuestos que se han convertido en soluciones populares, destacan los transistores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC).
MOSFET LDMOS de potencia de silicio, que se han utilizado durante mucho tiempo, y los MOSFET de superunión. Los dispositivos de GaN y SiC tienen algunas similitudes, pero también tienen diferencias importantes.
Este artículo de onsemi profundiza en el tema, ofrece una comparación de las dos opciones y presenta algunos datos que le ayudarán a tomar una decisión informada para su próximo diseño.