Per decenni, il silicio ha dominato il mondo dei transistor. Ma la situazione sta gradualmente cambiando. Sono stati sviluppati semiconduttori composti da due o tre materiali che offrono vantaggi unici e caratteristiche superiori.
Per esempio, i semiconduttori composti hanno fornito il diodo a emissione di luce (LED). Un tipo è costituito da una miscela di arseniuro di gallio (GaAs) e arseniuro di gallio e fosforo (GaAsP). Altri usano indio e fosforo. Il problema è che i semiconduttori composti sono più costosi e più difficili da produrre. Tuttavia, essi offrono vantaggi significativi rispetto al silicio. I progettisti stanno scoprendo che i semiconduttori composti soddisfano meglio i severi requisiti di specifica delle nuove applicazioni esigenti, come i sistemi elettrici automobilistici e i veicoli elettrici (EV).
Due di questi dispositivi semiconduttori composti che sono emersi come soluzioni sono i transistor di alimentazione al nitruro di gallio (GaN) e al carburo di silicio (SiC).
MOSFET di alimentazione al silicio a lunga durata LDMOS e MOSFET della super−giunzione. I dispositivi GaN e SiC sono per certi versi simili, ma presentano anche differenze significative.
Questo articolo di onsemi approfondisce l'argomento, mette a confronto le due opzioni e offre alcune informazioni utili per aiutarti a prendere una decisione informata riguardo al tuo prossimo progetto.