BFP740F Ultra Low Noise RF Transistor in 2.33-GHz SDARS Low Noise Amplifier Application
Using Part
Vignette
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Pour les produits finaux
- Active Antenna
- Satellite Radio
Description
- Silicon-Germanium-Carbon BFP740F HBT RF Transistor in TSFP-4 package is shown in a +3V, 2.33-GHz LNA application. Amplifier draws 8.9 mA. +5V power supply can be used if bias resistor values are changed
Caractéristiques principales
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Operating Frequency2320 to 2345 MHz
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Output Power28.5 dBm
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Gain24.9 dB
Pièces en vedette (1)
Pièce numéro | Fabricant | Type | Description | |||
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BFP 740F H6327 | Infineon Technologies AG | RF BJT | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | Ajouter au panier |