Infineon New Product Introduction – February 2019 – 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 Diode Technology

22 mars 2019

Learn about Infineon's new 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology.

Infineon's new 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology is based on the latest micropattern trenches technology to provide strongly reduced losses and a high level of controllability. Additionally, by raising the allowed maximum operation temperature up to 175° C in the power module, an increase of the output current of up to 40% can be obtained.
 
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