ニーズに合わせて最適化
設計者がアプリケーションのパフォーマンスの限界を押し広げるにつれて、MOSFETがアプリケーションでどのように使用されるかを理解することの重要性がますます高まっています。過去には、特定の性能指数 (FOM) を備えた標準電源スイッチは、基本的にあらゆるアプリケーションで機能しました。ただし、特定のアプリケーション要件や機能に対応するには、それらの要件に最適に適合するようにMOSFETパラメータのセットを最適化することがますます必要になっています。たとえば、アプリケーションでは、ソフトスタート、拡張された安全動作領域、信頼性の高いリニア モード パフォーマンス、または強化された保護が必要になる場合があります。Nexperiaでは、実績のあるMOSFETの専門知識と幅広いアプリケーションに関する理解を組み合わせて、アプリケーション固有のMOSFETの幅広い範囲を生み出しています。
繰り返しアバランシェ用車載ASFET
繰り返し雪崩耐性を保証、自動車認定
MOSFETを使用してソレノイドの駆動などの誘導負荷に電力を供給する場合、ほとんどの回路設計には、スイッチオフ時に負荷電流が流れ続ける場合にMOSFETを保護するための追加コンポーネントが含まれます。これは、エネルギーを再利用する高効率だが高価なブーストトポロジから、効率は劣るがよりコスト効率の高いフリーホイールダイオードを使用するアプローチまで多岐にわたります。反復的な雪崩セットアップの単純な代替オプションは、歴史的には平面技術を使用することでのみ可能でした。Nexperiaは、接合部温度を175 °C未満に維持しながら、繰り返し発生するアバランシェ電流を快適に処理できるようにMOSFETを最適化することで、システム レベルで数多くの節約を実現する、真に堅牢なデバイスを提供します。
主な特徴
- • AEC-Q101認定
- • 繰り返し雪崩耐性を保証、最大10億サイクルまでテスト済み
- • 堅牢なシリコン技術とLFPAKの熱性能を組み合わせることで、ダイ温度が175℃以下に保たれます。 °
- • 単一のMOSFETを使用するシンプルさにより、BOMと回路の複雑さが軽減され、システムコストとスペースが節約されます。
- • 古い平面技術に代わる現代のトレンチ
- • フリーホイールダイオード方式に比べて効率が向上し、スイッチングが高速化されます。
アプリケーション
- • パワートレインアプリケーション
- • 自動車用ソレノイドおよびアクチュエータ制御
- • エンジン制御
- • ソレノイド制御
- • 補助負荷
- • トランスミッション制御
- • ブレーキシステム
アプリケーションノート
ビデオ
製品/データシート
36 V DCモーターの場合50/55 V
最適化されたSOA、高いID定格、優れた雪崩耐性
36 V DCモーターは、マルチセル リチウムイオン バッテリー パックで使用されることが多く、さまざまな用途で需要が高まっています。コードレス電動工具から屋外用電動機器、さらには電動自転車やスクーターまで。これらの要求の厳しいアプリケーションを安全かつ効率的に駆動するには、高電流、強力なSOA、堅牢なアバランシェ定格に最適化されたMOSFETが必要です。Nexperiaは、50/55 V ASFET製品群で効率性も最適化しました。
主な特徴
- • Nexperiaのスーパージャンクション技術は、短絡故障による電力損失に耐える強化された安全動作領域（SOA）を提供します。
- • ID(max) – LFPAK56で200 A、モーターからの最大トルクを可能にし、高負荷および失速電流条件を確実に管理します。
- • 同等の60 V MOSFETよりもUIS（クランプされていない誘導スパイク）エネルギー消費が20％低い
- • Nexperiaの低RDS(on)特性により、より高い効率が実現され、バッテリー寿命が長くなります。
- • すべてのモーターアプリケーションと同様に、システム振動には減衰できないレベルがあります。LFPAKは、ボード レベルの信頼性と堅牢性を独自に実現します。
- • 多くのデバイスはロジックレベルで提供されており、マイクロコントローラデバイスから直接切り替えることができます。
アプリケーション
- • ブラシレスDCモーター制御
- • サーバー電源などの高出力AC-DCアプリケーションにおける同期整流器
- • バッテリー保護とバッテリー管理システム (BMS)
- • 負荷スイッチ
- • 10セルリチウムイオン電池アプリケーション（36 V ‒ 42 V）
アプリケーションノート
- • RCスナバの設計
- • RC熱モデル
- • パワーMOSFETデータシートパラメータの理解
- • LFPAK MOSFETの熱抵抗
- • パワーMOSFETの単発および反復アバランシェ耐性評価
- • パワーMOSFETの電気的過負荷による故障の特徴
- • 安全で信頼性の高いゲートドライブ動作を実現するMOSFETの設計
- • パワーMOSFETを並列で使用する
ビデオ
製品/データシート
強化されたSOAを備えたホットスワップおよびソフトスタート用ASFET
信頼性の高いリニアモード、強化されたSOA、低RDS(on)
クラウドであろうとエッジであろうと、私たちはまさに24時間365日の世界に生きています。私たちの日常生活の多くは、常時稼働しているラックベースのコンピューター、通信、ストレージ システムに依存しています。これらのシステムで電源障害が発生しないようにし、交換用ボードを稼働中のシステムに挿入するときにそのボード上のコンポーネントを保護するには、突入電流を慎重に制御することが不可欠です。通常のMOSFETでは、強いSOAと低いRDS(on) は相互に排他的です。ホットスワップとソフト スタートの両方の機能を1つのデバイスで提供するNexperiaの専用MOSFETは、ノンストップの世界向けに最適化されています。
主な特徴
- • バックプレーンに容量性負荷が導入された場合、突入電流を効果的かつ確実に管理するには、強力な線形モード性能と強化された安全動作領域（SOA）を備えたMOSFETが必要です。
- • 交換用ボードの電源が安全に投入されると、MOSFETは完全にオンになります。この動作モードでは、RDS(on)値が低いことが最も重要であり、温度を低く抑え、システム効率を最大限に高めるのに役立ちます。
- • 新しいデバイスは、D2PAKパッケージの50Vと比較してSOAを166%向上させます。
アプリケーション
- • 通信インフラのホットスワップ
- • 高性能ラック/ブレードベースサーバー
- • ブレードサーバーのホットスワップ
アプリケーションノート
ビデオ
製品/データシート