Optimisé pour répondre à vos besoins
À mesure que les concepteurs repoussent les limites en matière de performances des applications, il devient de plus en plus crucial de savoir comment les MOSFET seront utilisés dans ces applications. Jusqu'ici, un interrupteur d'alimentation standard doté d'un facteur de mérite donné (FOM) pouvait en principe fonctionner dans toutes les applications. Or, pour répondre au mieux à des obligations ou des fonctionnalités spécifiques des applications, il devient de plus en plus nécessaire d'optimiser un jeu de paramètres liés aux MOSFET. Par exemple, les applications réclameront peut-être un démarrage progressif, une zone de fonctionnement sûr élargie, des performances fiables en mode linéaire ou une protection renforcée. Chez Nexperia, nous associons notre maîtrise éprouvée des MOSFET à une large connaissance des applications afin de créer une gamme étendue de MOSFET spécifiques aux applications.
ASFET de qualité automobile pour avalanche répétitive
Performances d'avalanche répétitive garanties, conformité aux normes du secteur automobile
Lorsque des MOSFET sont utilisés pour alimenter des charges inductives, par exemple l'entraînement de solénoïdes, la plupart des conceptions de circuits comprennent des composants supplémentaires pour protéger le MOSFET lorsque le courant de charge continue de s'écouler lors de la mise hors tension. Cela peut aller de topologies d'amplification très efficaces, mais chères, qui réutilisent l'énergie jusqu'à des méthodes moins efficaces, mais plus économiques, consistant à utiliser une diode de roue libre. L'autre option simple utilisant une configuration d'avalanche répétitive n'était autrefois possible qu'à l'aide d'une technologie planaire. En optimisant les MOSFET de façon à pouvoir gérer sans difficulté des courants d'avalanche répétitive tout en conservant une température de jonction inférieure à 175 C, Nexperia offre un appareil réellement résistant capable de permettre de nombreuses économies au niveau du système.
Caractéristiques principales
- • Conforme à la norme AEC-Q101
- • Performances garanties d'avalanche répétitive, testées jusqu'à 1 milliard de cycles
- • Grâce à une technologie de silicium performante, combinée aux performances thermiques de LFPAK, la température du moulage reste inférieure à 175 C
- • La simplicité due à l'utilisation d'un seul MOSFET réduit la complexité de la nomenclature et des circuits, ce qui permet de réaliser des économies au niveau du système et de gagner de la place
- • Solution moderne par tranche opposée aux anciennes technologies planaires
- • Plus grande efficacité et commutation plus rapide que la méthode par diode de roue libre
Applications
- • Applications pour groupe motopropulseur
- • Commande de solénoïdes et d'actionneurs pour l'automobile
- • Commande de moteur
- • Commande de solénoïdes
- • Charges auxiliaires
- • Contrôle de transmission
- • Systèmes de freinage
Notes d'application
- • Indice de robustesse des MOSFET d'alimentation pour single-shot et avalanche répétitive
- • Entraînement de solénoïdes dans les applications automobiles
Vidéos
Produits/fiches techniques
50/55 V pour moteurs CC 36 V
SOA optimisé, fort indice ID et excellentes capacités d'avalanche
La demande de moteurs CC 36 V est en augmentation, ces moteurs étant souvent utilisés avec des blocs-batteries lithium-ion multicellulaires, cela dans une gamme d'applications croissante. Depuis les outils électriques sans fil jusqu'au matériel électrique d'extérieur, y compris les vélos électriques et les scooters. Pour que ces applications exigeantes reçoivent une alimentation sûre et efficace, il faut que les MOSFET soient optimisés pour des niveaux de courants élevés, des zones de fonctionnement sûrs renforcées et des indices d'avalanche performants. Nexperia les a également optimisés de façon à améliorer leur efficacité avec sa gamme d'ASFET 50/55 V.
Caractéristiques principales
- • La technologie Superjunction de Nexperia offre une zone de fonctionnement sûr (SOA) renforcée pour supporter la dissipation de puissance due à des pannes par court-circuit
- • ID(max) – 200 A dans un LFPAK56, autorisant un couple maximal de la part du moteur et gérant de façon fiable des charges élevées et des conditions de courant de décrochage
- • Dissipation de l'énergie d'UIS potentiels (pics inductifs sans serrage) inférieure de 20 % à celle de MOSFET de 60 V comparables
- • Les caractéristiques de faible RDS(on) de Nexperia offrent une efficacité supérieure et garantissent une plus grande autonomie de la batterie
- • Comme pour les applications dans des moteurs, le système présente un niveau de vibrations qui ne peut pas être atténué. LFPAK apporte des capacités exceptionnelles de fiabilité et de robustesse au niveau de la carte.
- • De nombreux dispositifs sont offerts au niveau logique, ce qui permet d'assurer directement leur commutation à partir d'un microcontrôleur
Applications
- • Commande de moteur CC sans balais
- • Redresseur synchrone dans les applications CA à CC à haute puissance, par exemple dans les alimentations électriques de serveurs
- • Protection des batteries et systèmes de gestion de batterie (BMS)
- • Interrupteur de charge
- • Applications de batteries lithium-ion à 10 cellules (36 V ‒ 42 V)
Notes d'application
- • Conception d'amortisseurs R-C
- • Modèles thermiques R-C
- • Comprendre les paramètres des fiches techniques des MOSFET d'alimentation
- • Résistance thermique des MOSFET LFPAK
- • Indice de robustesse des MOSFET d'alimentation pour single-shot et avalanche répétitive
- • Signature de panne due à un stress électrique trop élevé sur les MOSFET d'alimentation
- • Conception dans des MOSFET pour des opérations de commande de grille sûres et fiables
- • Utilisation de MOSFET en parallèle
Vidéos
Produits/fiches techniques
ASFET pour échange à chaud et démarrage progressif avec SOA renforcée
Mode linéaire fiable, SOA renforcée et faible RDS(on)
Que ce soit dans le cloud ou en périphérie, nous vivons véritablement dans un monde 24/7. Une partie considérable de nos vies quotidiennes dépend d'ordinateurs en rack et de systèmes de communication et de stockage constamment actifs. Pour éviter que ces systèmes ne subissent des interruptions d'alimentation et pour protéger les composants des cartes de rechange lorsqu'ils sont insérés dans un système sous tension, il est essentiel que le courant d'appel soit soigneusement contrôlé. Dans des MOSFET normaux, une SOA renforcée et un faible RDS(on) sont exclusifs l'un de l'autre. Offrant les deux possibilités dans un même appareil, les MOSFET spécifiques de Nexperia pour l'échange à chaud et le démarrage progressif sont optimisés pour servir dans un monde qui ne s'arrête jamais.
Caractéristiques principales
- • Des MOSFET offrant des performances élevées en mode linéaire et une zone de fonctionnement sûr (SOA) renforcée sont nécessaires pour gérer efficacement et de façon fiable le courant d'appel lorsque des charges capacitives sont introduites dans le fond de panier
- • Dès que la carte de rechange est mise sous tension en toute sécurité, le MOSFET est pleinement activé. Dans ce mode de fonctionnement, une faible valeur de RDS(on) est absolument essentielle pour contribuer à maîtriser les températures et pour que le système continue de présenter une efficacité maximale
- • Le nouvel appareil renforce la SOA de 166 % par rapport aux 50 V d'un boîtier D2PAK
Applications
- • Échange à chaud pour infrastructure de communication
- • Serveur rack/lame hautes performances
- • Échange à chaud pour serveur lame
Notes d'application
Vidéos
Produits/fiches techniques