Optimizado para sus necesidades
Conforme los diseñadores desafían los límites del rendimiento de la aplicación, es cada vez más crucial comprender cómo se utilizará MOSFET en la aplicación. En el pasado, un interruptor de potencia estándar con una figura de mérito (FOM) estándar funcionaría esencialmente en cualquier aplicación. Sin embargo, para satisfacer requisitos o funcionalidad específicos de la aplicación, cada vez es más necesario optimizar un conjunto de parámetros MOSFET que sean ideales para esos requisitos. Por ejemplo, las aplicaciones podría necesitar un inicio lento, una extensión del área de operación segura, rendimiento confiable en modo lineal o protección mejorada. En Nexperia combinamos nuestra comprobada experiencia en MOSFET con un amplio conocimiento de aplicaciones para crear un amplio rango de MOSFET específico de la aplicación.
ASFET automotrices para avalancha repetitiva
Rendimiento garantizado de avalancha repetitiva, de clasificación automotriz
Cuando se utilizan MOSFET para alimentar cargas inductivas (p. ej., para controladores de solenoides), la mayoría de los diseños de circuitos incluyen componentes adicionales para proteger el MOSFET cuando la carga de corriente continúa fluyendo durante una conmutación. Esto puede variar desde las altamente eficientes pero costosas topologías de impulso que reutilizan la energía, hasta los métodos menos eficientes pero más económicos que utiliza un diodo conmutador. La opción alternativa simple de una configuración de avalancha repetitiva solo ha sido posible históricamente utilizando tecnología planar. Al optimizar los MOSFET para manejar cómodamente las corrientes de avalancha repetitiva el tiempo que se mantiene una temperatura de unión por debajo de los 175 °C, Nexperia ofrece un dispositivo realmente resistente que ofrece numerosos ahorros para el sistema.
Características principales
- • Con calificación AEC-Q101
- • Rendimiento garantizado de avalancha repetitiva, probado por hasta mil millones de ciclos
- • La resistente tecnología de silicona combinada con rendimiento térmico de LFPAK garantiza que la temperatura del troquel permanezca por debajo de los 175 °C
- • La simplicidad e utiliza un solo MOSFET reduce el BOM y la complejidad del circuito para ofrecer ahorro de espacio y costos del sistema
- • Alternativa modernizada a las antiguas tecnologías planares
- • Ofrece eficiencia mejorada y mayor conmutación comparado con el método del diodo conmutador
Aplicaciones
- • Aplicaciones de transmisión mecánica
- • Control de actuador y solenoides automotrices
- • Control de motor
- • Control de solenoide
- • Módulo auxiliar
- • Control de transmisión
- • Sistemas de frenos
Notas sobre la aplicación
- • Resistencia nominal de avalancha repetitiva y monoestable en MOSFET de potencia
- • Controlador de solenoides en aplicaciones de la industria automotriz
Videos
Productos/Hojas de datos
50/55 V para motores de CC de 36 V
SOA optimizada, alto ID nominal y excelentes capacidades de avalancha
Hay una demanda en aumento de motores de CC de 36 V, usualmente utilizados con baterías de iones de litio de multicélula, en una amplia gama de aplicaciones. Desde herramientas eléctricas inalámbricas hasta equipo eléctrico para exteriores e incluso bicicletas eléctricas y scooters. Para controlar estas exigentes aplicaciones de forma segura y eficiente se requiere un MOSFET que se haya optimizado para alta corriente, SOA mejorada y resistencia nominal para avalancha. Nexperia también los ha optimizado para ser eficientes con nuestra gama de ASFET de 50/55 V.
Características principales
- • La tecnología de superunión de Nexperia ofrece un área de operación segura (SOA) mejorada para soportar la disipación de potencia debido a fallas por corto circuito.
- • ID(máx) – 200 A en un LFPAK56, que permite el torque máximo del motor y confiabilidad en condiciones de carga alta y bloqueo de corriente
- • Posible disipación de energía de UIS (pico inductivo no estabilizado) 20 % menor que un MOSFET de 60 V comparable
- • Las características de RDS(on) bajo de Nexperia ofrecen altas eficiencias que garantizan una mayor vida útil de la batería
- • Como en todas las aplicaciones de motor, hay un nivel de vibración del sistema que no puede mitigarse. LFPAK ofrece un nivel único de confiabilidad y resistencia en el nivel de la placa.
- • Muchos dispositivos se ofrecen en nivel lógico para permitir que se conmuten directamente desde un dispositivo microcontrolador
Aplicaciones
- • Controlador del motor de CC sin escobillas
- • Rectificador sincrónico en aplicaciones CA-a-CC de alta potencia; p. ej., suministro de energía para servidores
- • Sistemas de protección y administración de la batería (BMS)
- • Conmutador de carga
- • Aplicaciones de batería de iones de litio de 10 celdas (36 V ‒ 42 V)
Notas sobre la aplicación
- • Diseño de amortiguadores de RC
- • Modelos términos de RC
- • Comprendiendo los parámetros de la hoja de datos de MOSFET de potencia
- • resistencia térmica de MOSFET de LFPAK
- • Resistencia nominal de avalancha repetitiva y monoestable en MOSFET de potencia
- • Firma de falla por sobretensión eléctrica en MOSFET de potencia
- • Diseño en MOSFET para operación segura y confiable de controlador de puerta
- • Uso de MOSFET de potencia en paralelo
Videos
Productos/Hojas de datos
ASFET para sustitución en caliente e inicio suave con SOA mejorada
Modo lineal confiable, SOA mejorada y bajo RDS(on)
Ya sea en la nube o en las terminales, realmente vivimos en un mundo 24/7. Gran parte de nuestras vidas diarias depende de computadoras, comunicaciones y sistemas de almacenamiento basados en racks que siempre están encendidos. Es fundamental que se controle cuidadosamente la corriente entrante para garantizar que estos sistemas no experimenten ninguna interrupción de energía y para proteger los componentes en las placas de reemplazo cuando se insertan en sistemas activos. En MOSFET normales, SOA fuerte y bajo RDS(on) son mutuamente excluyentes. Ofreciendo ambas capacidades en un solo dispositivo, los MOSFET específicos de Nexperia para sustitución en caliente e inicio suave se optimizan para un mundo sin interrupciones.
Características principales
- • Se requieren MOSFET con alto rendimiento lineal y área de operación segura (SOA) mejorada para manejar la corriente de entrada de forma eficaz y confiable cuando las cargas capacitivas se introducen en la placa base
- • Cuando se alimenta con seguridad la placa de reemplazo, el MOSFET se ENCIENDE completamente. En este modo de operación, un valor bajo de RDS(on) es de importancia primordial para ayudar a mantener las temperaturas bajas y la eficiencia del sistema al máximo
- • El nuevo dispositivo mejora el SOA en un 166 % en comparación con los 50 V en el paquete D2PAK
Aplicaciones
- • Sustitución en caliente para infraestructura de comunicaciones
- • Servidor de alto rendimiento basado en rack/ultradelgado
- • Sustitución en caliente para servidor ultradelgado
Notas sobre la aplicación
Videos
Productos/Hojas de datos